18aFB-2 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-08-24

著者

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 長谷川 尊之

  兵庫県大院物質理

• 高木 芳弘

  兵庫県大院物質理

• 秦 雅彦

  住友化学筑波研

• 竹内 日出雄

  滋賀県大工

• 山田 永

  住友化学筑波研

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