20aHQ-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波発生の層厚依存性(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
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概要
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- 2010-03-01
著者
-
鶴田 修一
阪市大院工
-
竹内 日出雄
滋賀県立大工
-
柳沢 淳一
滋賀県立大工
-
山田 永
住友化学(株)筑波研究所
-
秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
-
中山 正昭
阪市大院工
-
中山 正昭
大阪市大 大学院工学研究科
-
柳沢 淳一
滋賀県立大学工学部
-
秦 雅彦
住友化学
-
山田 永
住友化学
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