21pTG-12 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部分極電場の評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 2007-08-21

著者

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 安藤 雅信

  豊田合成(株)開発部

• 上村 俊也

  豊田合成(株)オプトE事業部

• 上村 俊也

  豊田合成(株)開発部

• 坂口 薫

  阪市大院工

• 中井 真仁

  豊田合成(株)開発部

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