28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 安藤 雅信

  豊田合成(株)開発部

• 上村 俊也

  豊田合成(株)オプトE事業部

• 上村 俊也

  豊田合成(株)開発部

• 田中 浩康

  大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻

• 田中 浩康

  阪市大院工

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