安藤 雅信 | 豊田合成(株)開発部

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概要

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• 豊田合成(株)開発部の論文著者

関連著者

• 安藤 雅信

  豊田合成(株)開発部

• 中山 正昭

  大阪市大工

• 西村 仁

  大阪市大工

• 安藤 雅信

  大阪市大工

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 西村 仁

  関西外語大

• 上村 俊也

  豊田合成(株)開発部

• 田中 浩康

  大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻

• 藤原 賢三

  九州工大

• 中山 正昭

  大阪市立大学大学院 工学研究科電子情報系専攻 応用物理学講座

• 大谷 直毅

  ATR環境適応通信研究所

• 安藤 雅信

  豊田合成株式会社 オプトE事業部

• 上村 俊也

  豊田合成株式会社 オプトE事業部

• 大谷 直毅

  同志社大学理工学部電子工学科

• 中山 正昭

  大阪市立大

• 大谷 直毅

  ATR環境適応通信研

• 江上 典文

  Atr環境適応通信研

• 細田 誠

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 上村 俊也

  豊田合成(株)オプトE事業部

• 細田 誠

  ATR光電波通信研究所

• Schneider H.

  Fraunhofer Inst.

• 田中 功

  大阪市大工

• 藤原 賢三

  九工大工

• 藤原 賢三

  九州工大・工

• 岡嶋 一憲

  大阪市大工

• Schneider H

  Fraunhofer Inst.

• 黒柳 和良

  ATR環境適応通信研究所

• 黒柳 和良

  Atr技境適応通信研究所

• 田中 浩康

  阪市大院工

• 北野 亮

  阪市大院工

• 中西 太宇人

  大阪市大工

• 熊本 泰浩

  大阪市大工

• 中西 太宇人

  日大文理

• 竹内 日出雄

  滋賀県立大工

• 安藤 雅信

  奈良先端大物質創成

• 金本 恭三

  三菱電機半導体研

• 中山 正昭

  大阪市大 大学院工学研究科

• 中山 正昭

  大阪市大院工

• 堂本 千秋

  Atr環境適応通信研

• 坂口 薫

  阪市大院工

• 中井 真仁

  豊田合成(株)開発部

• 北野 亮

  大阪市大院工

• 竹内 日出雄

  大阪市大工

• 細田 誠

  ATR環境適応通信研究所

• 藤原 賢三

  九州工大 工

• 金本 恭三

  三菱中研

• 金本 恭三

  三菱電機半基研

• 西村 仁

  大阪市大(工)

• 西村 仁

  大阪市大 工

• 中山 正昭

  大阪市大院

• 西村 仁

  関西外国語大学

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著作論文

• 29a-Z-1 GaAs/AlGaAs超格子のミニバンド状態におけるフランツ-ケルディッシュ振動
• 31a-YL-6 GaAs/AlGaAs 超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果II
• 28p-K-12 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上電子状態に対する電場効果
• 21pTG-12 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部分極電場の評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• 28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSA-17 希薄混晶InGaNでの励起子-電子散乱過程による発光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 25pD-11 GaAs/AlAs超格子の発光特性におけるサブバンド間散乱効果
• 29p-ZE-9 GaAs/AlAs二重量子井戸超格子におけるサブバンド間共鳴
• 27p-YN-14 GaAs/AlAsタイプ-I超格子において電場により誘起されるΓ-X交差
• 2p-YH-6 GaAs/AlGaAs超格子のポテンシャル障壁上ミニバンド状態におけるフランツ・ケルディッシュ振動
• 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 半導体超格子の多重ミニバンド構造に対する電場効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
• 5p-E-12 GaAs/AlAs タイプ : II超格子におけるX電子共鳴
• 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
• 極薄膜障壁層を有するGaAs/AlAs超格子のミニバンド構造

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