黒柳 和良 | ATR環境適応通信研究所
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概要
関連著者
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黒柳 和良
ATR環境適応通信研究所
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黒柳 和良
Atr技境適応通信研究所
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中山 正昭
大阪市大工
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西村 仁
大阪市大工
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西村 仁
関西外語大
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江上 典文
Atr環境適応通信研
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大谷 直毅
ATR環境適応通信研究所
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大谷 直毅
同志社大学理工学部電子工学科
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大谷 直毅
ATR環境適応通信研
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竹内 日出雄
滋賀県立大工
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安藤 雅信
豊田合成(株)開発部
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安藤 雅信
大阪市大工
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竹内 日出雄
大阪市大工
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溝口 幸司
大阪市大工
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會田 田人
ATR環境適応通信研究所
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會田 田人
Atr環境適応通研
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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藤原 賢三
九州工大・工
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細田 誠
ATR光電波通信研究所
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東脇 正高
阪大基礎工
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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堂本 千秋
Atr環境適応通信研
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バッカロ パブロ
Atr環境適応通信研究所
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熊本 泰浩
大阪市大工
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細田 誠
大阪市立大学大学院工学研究科
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藤原 賢三
九州工大
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西村 仁
関西外国語大学
著作論文
- 5a-E-6 (775)B GaAs基板上のMBE成長した高密度GaAs量子細線の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 5p-E-14 GaAs/InAlAsタイプ : I超格子におけるタイプ : II発光の出現
- 31a-R-7 GaAs/AlAs Type-II超格子における発光特性の電場依存性
- 23aN-18 GaSb/AlSb超格子におけるコヒーレントLOフォノンの研究
- 25pXD-5 (n11)面方位GaAs/InAlAs超格子におけるコヒーレントフォノン
- (311)A面GaAs段差基板上にMBE成長により作製した横型p-n接合光電子デバイス