(311)A面GaAs段差基板上にMBE成長により作製した横型p-n接合光電子デバイス

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概要

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• 応用物理学会の論文
• 1999-12-10

著者

• 黒柳 和良

  ATR環境適応通信研究所

• 黒柳 和良

  Atr技境適応通信研究所

• バッカロ パブロ

  Atr環境適応通信研究所

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