冷水 佐壽 | 大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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概要
関連著者
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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彦坂 康己
富士通研究所
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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下村 哲
阪大院基礎工
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冷水 佐壽
阪大院基礎工
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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三村 高志
富士通研究所
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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松井 敏明
通信総合研究所
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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篠原 啓介
通信総合研究所
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彦坂 康己
富士通株式会社
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山下 良美
富士通株式会社
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三村 高志
富士通株式会社
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冷水 佐壽
大阪大学基礎工学部
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松井 敏明
情報通信研究機構
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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邑瀬 和生
阪大院理
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
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音 賢一
千葉大理
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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家 泰弘
東大物性研
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遠藤 彰
東大物性研
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勝本 信吾
東大物性研
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広瀬 信光
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
郵政省通信総合研究所
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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大野 恭秀
阪大基礎工
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遠藤 聡
富士通株式会社
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篠原 啓介
郵政省通信総合研究所
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東脇 正高
郵政省通信総合研究所
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北田 貴弘
阪大院基礎工
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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三浦 登
東大物性研
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嶽山 正二郎
東大物性研
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伊藤 正
阪大院基礎工
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綿谷 力
阪大基礎工
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内田 和人
東大物性研
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三浦 登
理研
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邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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池田 圭司
富士通研究所
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新井 宏一郎
阪大院理
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松林 知也
阪大院理
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三浦 登
東京大学物性研究所
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邑瀬 和生
阪大・理
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Miura N
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu Univer
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東脇 正高
阪大基礎工
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渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
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Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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平岡 徹也
阪大院基礎工
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Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
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Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Miura Noboru
Instilute For Solid State Physics University Of Tokyo
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Matsukawa Nozomu
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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新井 宏一郎
Crest-jst:erato-jst
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篠原 啓介
阪大基礎工
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清水 靖之
阪大基礎工
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芦田 昌明
阪大院基礎工
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中山 正昭
大阪市大工
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小川 真人
神戸大工
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伊藤 正
阪大基礎工
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枝松 圭一
阪大基礎工
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三好 旦六
神戸大学工学部
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川村 稔
理研
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小寺 克昌
東大物性研
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栗山 哲
阪大院理
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藤田 和久
ATR環境適応通信研究所
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芦田 昌明
大阪大学基礎工学研究科
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小川 真人
神戸大学工学部
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田中 勇
阪市大院工
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江上 典文
Atr環境適応通信研
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一宮 正義
CREST-JST
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澤田 祐志
阪大院基礎工
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枝松 圭一
阪大院基礎工
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黒柳 和良
ATR環境適応通信研究所
-
黒柳 和良
Atr技境適応通信研究所
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遠藤 聡
富土通研究所
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山下 良美
富土通研究所
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彦坂 康己
富土通研究所
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三村 高志
富土通研究所
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一宮 正義
阪歯大:阪大院基礎工
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Itoh Tadashi
Department Of Applied Physics Tohoku Unviersity
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林 英樹
阪大院基礎工
-
山本 昌則
阪大基礎工
-
伊藤 正治
神戸大工
-
三好 旦六
神戸大工
-
川村 稔
東大物性研
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Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
田中 勇
大阪市大工
-
Itoh T
Kyosera Co.ltd.
-
玉木 賢也
大阪市大工
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L Smrcka
Academy of Science of the Czech Republic
-
SMRCKA L.
Academy of Science of the Czech Republic
-
綿谷 力
阪大院基礎工
-
相川 尚穂
阪大院理
-
笠原 健司
阪大基礎工
-
家泰 弘
東大物性研:crest Jst
-
立岡 靖晃
阪大院基礎工
-
上村 正哉
阪大院基礎工
-
篠原 啓介
阪大院基礎工
-
平岡 撒也
阪大院基礎工
-
安立 明
日新電気
-
Kiehl R
スタンフォード大
著作論文
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 5a-E-6 (775)B GaAs基板上のMBE成長した高密度GaAs量子細線の時間分解フォトルミネッセンス測定
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 31a-R-12 (775)B GaAs 基板上にMBE成長した自己形成型高密度 GaAs 量子細線の光学的特性
- 27aZC-11 (411)Aおよび(100)基板上 GaAs/AlGaAs量子井戸からの磁気発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-1 超短周期平面超格子の量子ホールプラトー間遷移における温度スケーリング(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 17pYG-11 短周期ポテンシャル変調による量子ホール系のスピンギャップの抑制
- 28aYS-6 短周期1次元平面超格子中の2次元電子系における磁気抵抗ゆらぎ
- MBEによる高指数へテロ界面の形成と素子応用
- 14pYC-8 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトル (411) A および (100) 基板上(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 30pYH-4 GaAs/AlGaAs 量子井戸構造の励起子発光ダイナミクスに対する界面効果
- 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
- 25pSB-11 (411)A GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微発光励起スペクトル
- 25pD-6 (411)A GaAs基板上GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微分光
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 20pPSB-9 GaAs/AlGaAsピラミッド型構造におけるカソードルミネッセンス特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pSB-8 (411)A GaAs/AlGaAs界面の磁気PLによる評価
- 24aT-5 GaAs段差基板上にMBE成長したGaAsPにおけるV族原子の表面マイグレーション
- 24pL-3 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL(2) : 磁場強度依存性とラフネスのフーリエ成分
- 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
- 25pD-13 (411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs/InAlAs三重障壁共鳴トンネルダイオード
- 25pD-9 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL
- 5a-E-8 (411)A 超平坦ヘテロ界面をゆするGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオード
- 31a-R-3 (411)A 超平坦ヘテロ界面を有するBe変調ドープGaAs/Al_Ga_As量子井戸構造における2次元正孔ガスの移動度の改善