[Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
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概要
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ゲート長30nmの極微細ゲートを有するInP系HEMTにおいて、遮断周波数(f_T) 547GHzを達成した.これは主にゲート電極左右のサイドリセス構造を最適化したことによる。そこで、左右非対称のリセス構造を有する素子を作製し、ゲート電極のソース側およびドレイン側のリセス長がデバイスの高速特性に与える影響を調べ、リセス長短縮の効果を電子速度とソース抵抗の点から明らかにした。更に、超高速特性を有するInP-HEMTにおいて無視できない寄生抵抗の低減の効果についても議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-23
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
遠藤 聡
富士通研究所
-
山下 良美
富士通研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
三村 高志
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
篠原 啓介
情報通信研究機構
-
渡邊 一世
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
-
篠原 啓介
通信総合研究所
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