4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(<小特集>最新のミリ波技術の動向)
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概要
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InP基板上に作製したInGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30〜300GHz)及びサブミリ波帯(300GHz〜3THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信やミリ波・サブミリ波帯などの未利用周波数帯の開発のキーデバイスとして注目されている.今後,HEMT単体の更なる高性能化とともに集積回路への発展も期待されており,今回,ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを作製し,そのデバイス特性を評価した.更に,ナノスケールHEMTを用いたEバンド(60〜90GHz)で動作するミリ波帯MMICの試作評価結果について報告するとともに,今後の高速電子デバイス及びミリ波帯MMICついて展望する.
- 2010-02-01
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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