三村 高志 | (株)富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
三村 高志
株式会社富士通研究所
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高電子移動度トランジスタ : HEMT-の発明
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)