北田 貴弘 | 大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学の論文著者

関連著者

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学

• 井須 俊郎

  徳島大院

• 森田 健

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター

• 井須 俊郎

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 北田 貴弘

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学

• 下村 哲

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 冷水 佐壽

  大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校

• 北田 貴弘

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター

• 井須 俊郎

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構

• 北田 貴弘

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 篠原 啓介

  情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc

• 高橋 朋也

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 渡邊 一世

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 遠藤 聡

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 山下 良美

  独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 遠藤 聡

  富士通研究所

• 山下 良美

  富士通研究所

• 三村 高志

  富士通研究所

• 下村 哲

  阪大院基礎工

• 冷水 佐壽

  阪大院基礎工

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 渡邊 一世

  情報通信研究機構

• 北田 貴弘

  阪大院基礎工

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• 平岡 徹也

  阪大院基礎工

• 上山 日向

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター

• 佐藤 亮太

  宇宙航空研究開発機構

• 寳迫 巌

  情報通信研究機構

• 片山 晴善

  JAXA

• 木股 雅章

  立命館大学

• 木股 雅章

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 木股 雅章

  三菱電機(株)先端技術総合研究所ニューロ応用技術部

• 寶迫 巌

  (独)情報通信研究機構

• 寳迫 巌

  NICT

• 立岡 靖晃

  阪大院基礎工

• 上村 正哉

  阪大院基礎工

• 篠原 啓介

  阪大院基礎工

• 平岡 撒也

  阪大院基礎工

• 内藤 聖貴

  宇宙航空研究開発機構

• 片山 晴善

  宇宙航空研究開発機構

• 美藤 邦彦

  立命館大学理工学部

• 川崎 聡史

  立命館大学理工学部

• 室岡 純平

  宇宙航空研究開発機構

• Patrashin Mikhail

  情報通信研究機構

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著作論文

• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• MBEによる高指数へテロ界面の形成と素子応用
• 24aT-5 GaAs段差基板上にMBE成長したGaAsPにおけるV族原子の表面マイグレーション
• 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
• 25pD-13 (411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs/InAlAs三重障壁共鳴トンネルダイオード
• GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発(第9回赤外放射の応用関連学会年会)
• 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生 (電子デバイス)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• ED2012-96 半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

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