冷水 佐壽 | 阪大院基礎工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
下村 哲
阪大院基礎工
-
冷水 佐壽
阪大院基礎工
-
下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
北田 貴弘
阪大院基礎工
-
音 賢一
千葉大理
-
邑瀬 和生
阪大院理
-
音 賢一
阪大院理
-
鷹岡 貞夫
阪大院理
-
邑瀬 和生
大阪教養
-
平岡 徹也
阪大院基礎工
-
Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
-
Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
-
MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
-
三浦 登
東大物性研
-
嶽山 正二郎
東大物性研
-
伊藤 正
阪大院基礎工
-
内田 和人
東大物性研
-
三浦 登
理研
-
邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
-
新井 宏一郎
阪大院理
-
松林 知也
阪大院理
-
三浦 登
東京大学物性研究所
-
邑瀬 和生
阪大・理
-
Miura N
Department Of Materials Science And Technology Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu Univer
-
Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
-
北山 雅樹
阪大院基礎工
-
林 英樹
阪大院基礎工
-
Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
-
Miura N
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo
-
Miura Noboru
Instilute For Solid State Physics University Of Tokyo
-
Matsukawa Nozomu
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
-
新井 宏一郎
Crest-jst:erato-jst
-
堀田 高史
阪大院基礎工
-
芦田 昌明
阪大院基礎工
-
綿谷 力
阪大基礎工
-
芦田 昌明
大阪大学基礎工学研究科
-
一宮 正義
CREST-JST
-
澤田 祐志
阪大院基礎工
-
篠原 啓介
情報通信研究機構
-
枝松 圭一
阪大院基礎工
-
一宮 正義
阪歯大:阪大院基礎工
-
Itoh Tadashi
Department Of Applied Physics Tohoku Unviersity
-
篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
-
渡辺 一世
阪大院基礎工
-
渡邊 一世
阪大院基礎工
-
Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
Itoh T
Kyosera Co.ltd.
-
綿谷 力
阪大院基礎工
-
相川 尚穂
阪大院理
-
立岡 靖晃
阪大院基礎工
-
上村 正哉
阪大院基礎工
-
篠原 啓介
阪大院基礎工
-
平岡 撒也
阪大院基礎工
-
坂 直樹
阪大院基礎工
-
岡田 正雄
阪大院基礎工
著作論文
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 30a-P-11 (411)AGaAs基板上にMBE成長したGaAs/AlAsヘテロ構造の界面評価
- 30a-P-8 (411)GaAs基板上のAlAsコラゲーション上にMBE成長したGaAs表面のAFM観察
- 27aZC-11 (411)Aおよび(100)基板上 GaAs/AlGaAs量子井戸からの磁気発光スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-8 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトル (411) A および (100) 基板上(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 25pD-6 (411)A GaAs基板上GaAs/AlGaAs量子ドットの顕微分光
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 20pPSB-9 GaAs/AlGaAsピラミッド型構造におけるカソードルミネッセンス特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24pSB-8 (411)A GaAs/AlGaAs界面の磁気PLによる評価
- 24aT-5 GaAs段差基板上にMBE成長したGaAsPにおけるV族原子の表面マイグレーション
- 24pL-3 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL(2) : 磁場強度依存性とラフネスのフーリエ成分
- 23aK-12 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs三重障壁共鳴トンネルダイオードの強磁場中での電流-電圧特性
- 25pD-13 (411)A InP基板上にMBE成長したInGaAs/InAlAs三重障壁共鳴トンネルダイオード
- 25pD-9 (411)A超平坦ヘテロ界面を有するGaAs/AlGaAs変調ドープ量子井戸の磁気PL
- 24pWE-5 (221)A In GaAs超高均一量子細線のホトルミネッセンス励起スペクトル(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pWE-11 (411)A In GaAs変調ドープ量子井戸の磁気ホトルミネッセンスによる界面評価(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))