音 賢一 | 千葉大理
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概要
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音 賢一
千葉大理
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邑瀬 和生
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Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
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Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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Department Of Physics Osaka University
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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Department Of Applied Physics Osaka City University
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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蒲生 健次
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嶽山 正二郎
千葉大理
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蒲生 健次
阪大基礎工
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蒲生 健次
阪大院基礎工
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八柄 篤司
阪大院理
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Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering Osaka University
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旭化成エレクトロニクス
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大工大応物
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山口 浩司
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山崎 剛資
千葉大院理
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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松林 知也
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下村 哲
阪大院基礎工
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冷水 佐壽
阪大院基礎工
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藤井 研一
阪大理
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石原 知幸
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蒲生 健次
大阪大 基礎工
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東工大院像情報:(現)nhk技研
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橋本 佑介
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NTT基礎物性研
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総研大
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Karczewski G.
ポーランド科学アカデミー
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Wojtowicz T.
ポーランド科学アカデミー
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ポーランド科学アカデミー
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菅原 彩子
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福田 大輔
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大阪大学大学院理学研究科
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竹田 精治
阪大院理
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河野 日出夫
阪大院理
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邑瀬 和生
阪大理
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三野 弘文
千葉大理
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鈴木 洋介
千葉大院・自然科学
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室 清文
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嶽山 正二郎
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音 賢一
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音 賢一
阪大理
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小埜 和夫
東大物性研
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与那嶺 亮
千葉大理
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澁谷 幸司
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田中 崇敏
阪大院理
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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石田 修一
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横沼 実雄
東理大山口短大
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ポーランド科学アカデミー物理
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大西 浩介
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鈴村 竜広
阪大院理
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松本 和彦
産業技術総合研
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J Kossut
ポーランド科学アカデミー
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荒原 幸士朗
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藤川 敦史
千葉大院自然科学
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産総研光技術研究部門
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長井 史生
千葉大院自然
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有嶋 優
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沈 睿
千葉大院自然科学
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片桐 崇良
千葉大理
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田中 直樹
東工大理
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Wojtowicz T.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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Kossut J.
Institute Of Physics Polish Academiy Of Science
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音 賢一
千葉大 理
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山口 浩司
根室市立病院外科
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沈 睿
千葉大院自然
著作論文
- 21pGQ-5 ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測(21pGQ ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-3 Kerr効果による量子ホール状態のスピン分極測定と奇数占有数(ν=3)近傍でのSkyrmionの検証(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 23pYJ-11 ZnSe/BeTe量子井戸における光励起蓄積キャリアの電場効果(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 28pPSB-15 ポッケルス効果による量子ホール状態の電位分布イメージング(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
- 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 20pWB-4 CdS/ZnSe タイプ II 超格子の磁気発光特性
- 25pWB-14 CdZnTe/CdZnMnTe量子井戸における極低温下でのスピン共鳴のソフトニング(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
- 25pPSB-65 ナノファイバー上に成長させたSWNTの単分子計測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
- 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 22pPSA-40 タイプ II 超格子 ZnSe/BeTe における光学的性質
- 13pPSA-23 希薄磁性半導体多重量子井戸 CdTe/CdMnTe における磁気光学ダイナミクス(領域 5)
- 20aWB-4 希薄磁性半導体量子井戸 CdTe/CdMnTe における励起子複合状態の四光波混合特性
- 28aPS-78 希薄磁性半導体CdZnTe/CdZnMnTeにおけるスピンフリップラマン散乱(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-45 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeにおける非線形増大発光と時間分解円二色性 III(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 14aYC-4 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における非線形増大発光と時間分解磁気円二色性 II(磁性半導体, 領域 4)
- 27aXB-2 線幅に比例しない量子ホール・ブレークダウンと電流分布(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-31 希薄磁性半導体 Cd_Mn_xTe における新たな磁気ポーラロン遷移; bi-exciton magnetic polaron?
- 25pPSA-9 スポット光励起下の量子ホール状態の臨界電流測定による電流分布イメージング(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-6 GaAs/AlGaAs系の磁気キャパシタンス測定によるポテンシャル揺らぎの評価(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))