平山 祥郎 | NTT物性科学基礎研
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概要
関連著者
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
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平山 祥郎
東北大理
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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樽茶 清悟
東大工
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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福岡 大輔
千葉大院理
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室 清文
千葉大院理
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大野 圭司
理研
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音 賢一
千葉大院理
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平山 祥郎
東北大院理
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山崎 剛資
千葉大院理
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宮下 宣
NTT-AT
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西 義史
東大理
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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西 義史
(株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー
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音 賢一
千葉大学理学部
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宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
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鈴木 恭一
NTT物性基礎研
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田中 直樹
東工大
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天羽 真一
ICORP-JST
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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久保 敏弘
ICORP-JST
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都倉 康弘
ICORP-JST
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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音 賢一
千葉大理
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室 清文
千葉大理
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福岡 大輔
千葉大院自然
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山崎 剛資
千葉大院自然
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蟹澤 聖
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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平山 祥郎
SORST-JST
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大野 圭司
東大理
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樽茶 清悟
東大理
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Stopa M.
Erato
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蟹澤 聖
Ntt物性基礎研
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田中 直樹
東工大理
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岡本 創
Ntt物性基礎研
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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河野 公俊
理研
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田中 直樹
千葉大院理
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田中 直樹
千葉大院自然
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山口 浩司
NTT基礎物性研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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秋元 彦太
理研
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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泉田 渉
東北大理
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樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
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北村 陽介
東大工
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Stopa M.
ERATO SORST
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江澤 潤一
東北大院理
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森野 正行
東北大院理
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田頭 邦弘
東北大院理
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佐久 規
NTT物性基礎研
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北村 陽介
東工大
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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黄 旭明
理研
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大野 圭司
東大工
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山本 倫久
東大理
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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高橋 明雄
東大理
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下田 雄一
東北大院理
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高品 圭
バース大物理
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黄 旭明
理研:台湾交通大
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
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平山 祥郎
Ntt物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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河野 公俊
理研:東工大理
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平山 祥郎
Ntt物性科学基礎研究所&科学技術振興機構
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山口 浩司
根室市立病院外科
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佐久 規
NTT物性科学基礎研
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津田 安樹
東北大院理
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村木 康二
東北大院理
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山本 倫久
東大理,ERATO
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藤澤 利正
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 21aTH-4 奇数占有数量子ホール状態における電子スピンコヒーレンス増大の観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-1 光誘起Kerr効果で見る量子Hall領域での電子スピン共鳴と動的核スピン分極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pPSB-14 磁気光Kerr効果で見る量子ホール凝縮相のスピン分極(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
- InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
- 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 化合物半導体マイクロ・ナノメカニクス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
- 半導体量子構造における新しい物性
- 7pSA-2 非対称障壁を持った横型半導体量子ドットのスピン状態(量子ドット,領域4)
- 8aSA-8 2層系における整数量子ホール効果と分数量子ホール効果の比較(分数量子ホール効果(理論,2層系),領域4)
- 6aSA-8 結合量子細線における負のドラッグ抵抗とその磁場依存性(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)