蟹澤 聖 | Ntt物性基礎研
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概要
関連著者
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蟹澤 聖
Ntt物性基礎研
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蟹澤 聖
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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ペロ シモン
Ntt物性基礎研:lpn-cnrs
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Perraud Simon
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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鈴木 恭一
NTT物性基礎研
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高品 圭
バース大物理
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植木 峰雄
NELテクノ
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平山 祥郎
東北大理
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
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中村 浩次
三重大工
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秋山 亨
三重大工
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伊藤 智徳
三重大工
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神原 浩
産総研
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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樽茶 清悟
東大工
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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Fukuyama Hidetoshi
Department Of Physics Univercsity Of Tokyo
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新見 康洋
東大物性研
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福山 寛
東大理
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新見 康洋
東大理
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神原 浩
東大理
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中村 浩次
三重大院工
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秋山 亨
三重大院工
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伊藤 智徳
三重大院工
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伊藤 智徳
Ntt厚木通研
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伊藤 智徳
NTT LSI研究所
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小島 治樹
東大院理
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藤沢 利正
Ntt物性基礎研
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中村 浩次
三重大学大学院工学研究科
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小島 治樹
東大理
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蟹沢 聖
NTT物性基礎研
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ジャネ カミユ
NTT物性基礎研
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Perraud Simon
LPN-CNRS
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Perraud Simon
Ntt物性基礎研:lpn-cnrs
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Fukuyama Hidetoshi
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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伊藤 智徳
三重大学工学部物理工学科
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平山 祥郎
Ntt物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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ジャネ カミユ
Ntt物性基礎研:espci
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科物理工学専攻
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中村 浩次
三重大学工学研究科
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Butcher Matthew.
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
- 26aYG-8 InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- MBE成長したInAs(111)A表面における電子蓄積層の形成機構
- 27aXB-7 表面2次元電子系に対する磁場中STM/STS観測(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-4 低温STM/STSによる半導体ヘテロ界面における入射・反射電子波の干渉観察(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pTD-10 InAs(111)A表面再構成境界における電子状態定在波の低温STM観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体デバイス中の量子状態実空間観測 (特集 NTT物性科学基礎研究所における基礎研究最前線)
- 24aXK-5 吸着In原子に束縛されたInAs表面状態間の相互作用(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 化合物半導体表面の量子現象
- 27pXC-9 InGaAs/GaAs(111)A表面量子井戸中の局所状態密度分布の低温STM観察(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWF-2 半導体ナノ構造の電子状態の低温STM観測(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 25aTH-8 エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aRC-5 III-V族半導体表面における2次元電子状態と原子マニピュレーション(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXK-6 InAs(111)A表面In原子によるカゴメ格子状態密度の低温STM観測(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXP-4 量子化された伝導電子の局所状態密度の低温STM観察(25pXP領域,領域7合同シンポジウム 主題:極微細構造の電子輸送-メゾからナノへ-,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))