25aTH-8 エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 蟹澤 聖

  Ntt物性基礎研

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