27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 蟹澤 聖

  NTT物性科学基礎研究所

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 蟹澤 聖

  Ntt物性基礎研

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

関連論文

• 21pHV-8 量子ホール端状態におけるエッジマグネトプラズモンのマイクロ波伝搬特性(21pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aHV-4 半導体ポイント接合における表面弾性波ポテンシャルの時間分解測定(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• カーボンナノチューブの基礎と応用
• InAs積層欠陥0次元構造の電子状態の低温STS評価
• 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTX-4 量子ホール状態における電子波束伝播の時間分解測定(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aYG-8 InAs(111)A表面における不規則ポテンシャル誘起電子トラップの低温走査トンネル顕微鏡観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pYK-12 傾斜磁場を用いた二層V_T=1量子ホール状態における真性ギャップの測定(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXA-4 量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン伝導の磁場依存性(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-3 電圧制御可能なエッジマグネトプラズモン共振器(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-11 静電的ゆらぎによる二重量子ドット電荷量子ビットのデコヒーレンス(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-9 二重結合量子ドットを用いた高速キャパシタンス測定(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-3 静電結合した二組の二重量子ドットにおけるコヒーレント振動特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-3 ベクトル磁場印加による少数電子系の量子ドットの軌道とスピン分裂の測定(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-8 電荷測定による二重量子ドットの計数統計(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-6 二重量子ドット中のエネルギー緩和機構(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aYA-2 半導体量子ドットを用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
• 22pTH-8 結合量子ドット中の電荷ダイポール回転のディコヒーレンス
• 29aYH-5 結合量子ドットにおける電荷コヒーレント振動
• 27pTB-6 弱結合二重量子ドットにおける電流抑制機構
• 29pPSB-63 InAs(111)A表面上のIn吸着原子に起因する電子状態の理論検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pQL-12 単一電子輸送における揺らぎの定理(非平衡定常系(熱・統計力学基礎論を含む),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 量子ドットの電気的パルス測定と単一電子ダイナミクス
• 19pYH-5 量子ドットの電荷状態とスピン状態
• 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
• 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
• 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 23pPSB-61 電流アンプを用いたメゾスコピックデバイスのための量子雑音測定技術(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• MBE成長したInAs(111)A表面における電子蓄積層の形成機構
• 27aXB-7 表面2次元電子系に対する磁場中STM/STS観測(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2重量子ドットの電子スピン制御 (2006年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (物性物理)
• 半導体量子ドットからみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
• 半導体人工分子の電荷量子ビット (特集号)
• 量子メモリおよび量子演算素子の実現に向けて (特集 量子情報科学の新時代--量子へと向かう情報とは何か?)
• 半導体量子ドットによる量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
• 21aTG-1 GaSb/InAs量子井戸における2次元正孔状態密度の低温STSイメージング(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXL-4 低温STM/STSによる半導体ヘテロ界面における入射・反射電子波の干渉観察(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
• 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
• 半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 26pTD-10 InAs(111)A表面再構成境界における電子状態定在波の低温STM観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 半導体デバイス中の量子状態実空間観測 (特集 NTT物性科学基礎研究所における基礎研究最前線)
• 24aXK-5 吸着In原子に束縛されたInAs表面状態間の相互作用(ナノチューブ・ナノワイヤ,表面ナノ構造量子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 化合物半導体表面の量子現象
• 27pXC-9 InGaAs/GaAs(111)A表面量子井戸中の局所状態密度分布の低温STM観察(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pWF-2 半導体ナノ構造の電子状態の低温STM観測(領域4,領域5合同シンポジウム : 半導体物性研究におけるイメージング計測の現状,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-3 四面体InAsナノ構造における局所ポテンシャル分布の低温STM測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 25pHG-10 2重エッジマグネトプラズモン共振器における共鳴スペクトルの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-9 エッジマグネトプラズモン伝播測定によるゲート電極近傍のエッジチャネル構造解析(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-93 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-11 量子ホール領域における量子ポイントコンタクトの高周波アドミッタンス測定(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aTH-8 エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aHD-13 半導体表面の周期的金属構造に関する時間分解表面弾性波伝搬スペクトル(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aRC-5 III-V族半導体表面における2次元電子状態と原子マニピュレーション(22aRC 領域9,領域4,領域6,領域7合同シンポジウム:多彩な表面系における電子輸送現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pTM-6 ポテンシャルの時間分解測定による表面弾性波フォノン共振器特性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pPSA-5 半導体量子ポイント接合の非線形伝導における高調波歪み測定(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 応用物性
• 応用物性
• 27aXK-6 InAs(111)A表面In原子によるカゴメ格子状態密度の低温STM観測(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 7pSA-2 非対称障壁を持った横型半導体量子ドットのスピン状態(量子ドット,領域4)
• 24pXP-9 縦型量子ドソトの軌道角運動量緩和とスピン緩和(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25pXP-4 量子化された伝導電子の局所状態密度の低温STM観察(25pXP領域,領域7合同シンポジウム 主題:極微細構造の電子輸送-メゾからナノへ-,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク