20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 平山 祥郎

  東北大理

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 新井田 佳孝

  NTT物性科学基礎研究所

• 高品 圭

  NTT物性科学基礎研究所

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 平山 祥郎

  東北大理:erato-jst

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 新井田 佳孝

  東北大理

• 高品 圭

  バース大物理

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 小野 行徳

  Ntt

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