(111)A面上のInAs/GaAsヘテロ構造と表面電子波のSTM観察
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概要
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GaAs(111)A表面上のInAs成長では、7%もの大きな格子不整合にもかかわらず、InAsは原子レベルで均一な薄膜を形成する。このInAs薄膜表面は、(1)電子蓄積による表面2次元チャネルの形成、(2)サブオングストロームレベルで平坦な再構成表面、(3)電気的に外部と結合したナノ構造の自己形成、という3つの特徴をもつ。この特徴を活かし、低温STMを用いた半導体ナノ構造中の電子波の観測に初めて成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
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