SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(<特集>グラフェンの成長と応用)
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概要
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SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェン成長を,テラス上のC凝集過程と捉えて,そのエナージェティクスを第一原理計算によって追跡した.吸着C原子はsp^2結合を作りやすく,表面Siの未結合手の終端に優先して,C-C結合を形成する.Si終端表面であることは,薄くて平滑なグラフェンシートのエピタキシャル成長にとって重要で,表面Siはあたかも触媒のように作用する.また,新しいグラフェンシートは,常に元からあるグラフェンシートの下の基板Si終端面の上に成長していく界面成長であり,最表面に新しい層ができる通常のエピタキシャル成長とは異なる.さらにSiの脱離サイトは余剰C原子を捕らえ,グラフェン島を形成していくものと考えられる.
著者
-
日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
山口 浩司
Ntt物性基礎研
-
山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
日比野 浩樹
NTT基礎研
-
山口 浩司
三菱重工業(株)
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
-
山口 浩司
根室市立病院外科
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