単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
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概要
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We review our research toward single-crystal growth of epitaxial few-layer graphene (FLG) on SiC substrates, in which surface electron microscopy techniques have played essential roles. We have established a method for evaluating the number of graphene layers microscopically using low-energy electron microscopy. The number-of-layers dependence of the work function and C1s binding energy is determined using photoelectron emission microscopy. We use LEEM and thermionic electron emission microscopy to investigate the growth processes of epitaxial FLG. Uniform bilayer graphene a few micrometers in size is obtained by annealing in UHV.
- 2010-02-20
著者
-
日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
-
影島 博之
NTT物性基礎研
-
永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
-
日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
-
永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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