影島 博之 | NTT物性基礎研

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概要

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関連著者

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 秋山 亨

  三重大学大学院工学研究科

• 山口 浩司

  Ntt物性科学基礎研究所

• 山口 浩司

  東京大学大学院 情報理工学系研究科

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 山口 浩司

  根室市立病院外科

• 秋山 亨

  三重大工

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 伊藤 智徳

  三重大工

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 堀口 誠二

  NTT物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  徳島大工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 西口 克彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北大

• 猪川 洋

  Ntt物性研

• 内田 和之

  NTT物性研

• 登坂 仁一郎

  Ntt物性科学基礎研究所

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 赤木 和人

  東北大WPI

• 赤木 和人

  東大院理

• 赤木 和人

  東北大

• 関根 佳明

  Ntt物性基礎研

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 佐藤 徹哉

  慶大理工

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 宮崎 康晶

  NTT物性科学基礎研究所

• 西口 克彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 佐藤 徹哉

  慶大

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 赤木 和人

  東大理

• 宮崎 康晶

  Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 秋山 亨

  NTT物性基礎研

• 深津 茂人

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 小栗 克弥

  Ntt物性基礎研

• 小野 行徳

  Ntt

• 田邉 真一

  Ntt物性基礎研

• 坂井 智洋

  慶大理工

• 佐藤 徹哉

  慶應理工

• 坂井 智洋

  慶應理工:NTT物性基礎研究所

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 常行 真司

  東大院理

• 関根 佳明

  NTT物性研

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 常行 真司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 常行 真司

  東大理

• 山田 都照

  慶大理工

• 浦山 太一

  慶大理工

• 影島 博之

  Ntt物性科学基礎研究所

• 小栗 克弥

  NTT物性科学基礎研究所

• 植田 研二

  Ntt物性基礎研

• 伊藤 智徳

  三重大学大学院工学研究科

• 伊藤 智徳

  Ntt厚木通研

• 伊藤 智徳

  NTT LSI研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 伊藤 公平

  慶應義塾大学理工学部物理情報工学科

• 植田 研二

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 影島 博之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 常行 真司

  NTT物性基礎研

• 深津 茂人

  慶應義塾大学理工学部

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 永瀬 雅夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 櫻木 峻輔

  慶應理工

• 伊藤 公平

  慶應義塾大学理工学部

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著作論文

• 22pGV-7 SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYG-5 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : Si層の有効誘電率(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 23pXA-13 水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 : 膜厚の効果(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-73 水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 薄膜・表面物理分科会企画 : 最新表面顕微鏡技術とナノテクノロジーへの応用
• 25pPSA-14 第一原理計算によるPt薄膜の磁性(領域3ポスターセッション(スピントロニクス・遍歴磁性等),領域3,磁性,磁気共鳴)
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
• ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 22pWA-7 第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい計算手法の開発(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aPS-60 第一原理計算による二次元系Pdの磁性発現に関する研究(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• 21aWH-9 SiO_2/Si(100)界面でのSi輸送過程(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算法I
• 26aYK-9 SiO_2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 14pTJ-2 SiO_2 中格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 15aPS-30 SiO_2/Si(100) 界面における酸素分子反応の第一原理計算(領域 9)
• 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
• 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
• 28pPSB-43 SiO_2/Si(100) 界面での酸素原子反応過程の理論的検討
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 23aYD-14 シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動 : 第一原理分子動力学計算からのアプローチ
• 新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術 (特集 新しい機能性ナノ構造にかかわる基礎研究)
• Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• グラフェン (特集 ナノ材料の光科学最前線)
• 19aYN-7 Si酸化における原子輸送の物理(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
• 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
• 極薄シリコン酸化膜形成の理論
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 (シリコン材料・デバイス)
• SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術 (特集 ナノカーボンデバイス材料の可能性に迫る)
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
• Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
• 26pSB-10 SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEC-5 SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18pPSA-30 Pd超薄膜の磁性の層数依存性(18pPSA 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・薄膜・人工格子・表面・スピングラス・磁気共鳴・実験技術・磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-25 第一原理計算によるPd超薄膜の電子構造及び磁気特性の検討(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aDK-7 SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
• 9aSN-9 SiO2/Si(100)界面近傍における原子状酸素の安定性(表面・界面ダイナミクス,領域9)

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