永瀬 雅夫 | Ntt 物性科学基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• Ntt 物性科学基礎研の論文著者

関連著者

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 栗原 健二

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  東京大学大学院 情報理工学系研究科

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 山口 浩司

  Ntt物性科学基礎研究所

• 山口 浩司

  根室市立病院外科

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 生津 英夫

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 生津 英夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 栗原 健二

  NTT物性科学基礎研

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 堀口 誠二

  NTT物性科学基礎研究所

• 日比野 浩樹

  NTT物性科学基礎研

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 村瀬 克実

  NTT LSI研究所

• 永瀬 雅夫

  NTT LSI研究所

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 高橋 庸夫

  北大

• 山本 泰己

  関西大学 大学院工学研究科

• 大村 泰久

  関西大学 大学院工学研究科

• 生津 英夫

  NTT LSI研究所

• 大村 泰久

  関西大学大学院:関西大学・先端科学技術推進機構

• 栗原 健二

  NTT LSI研究所

• 栗原 健二

  Ntt Lsi研

• 永瀬 雅夫

  徳島大工

• 関根 佳明

  Ntt物性基礎研

• 太田 英二

  慶應義塾大学

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 宮崎 康晶

  NTT物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  NTT基礎研究所

• 生津 英夫

  NTT物性科学基礎研究所

• 石山 俊彦

  Ntt Lsi研究所

• 宮崎 康晶

  Ntt物性科学基礎研究所:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 太田 英二

  慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 岩立 和己

  Ntt Lsi研究所

• 小栗 克弥

  Ntt物性基礎研

• 小野 行徳

  Ntt

• 朝倉 清高

  北海道大学触媒化学研究センター

• 尾嶋 正治

  東大工

• 関根 佳明

  NTT物性研

• 藤原 聡

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 朝倉 清高

  東大理

• 小野 寛太

  東大工

• 山田 素久

  東大院工

• 山田 素久

  東大工

• 朝倉 清高

  北海道大学

• 武笠 幸一

  北海道大学創成科学共同研究機構

• 鈴木 秀士

  北海道大学触媒化学研究センター

• 小野 寛太

  総研大・高エ研

• 尾嶋 正治

  東京大学大学院工学系研究科

• 居島 薫

  山梨大学大学院医学工学総合研究部

• 大南 祐介

  北海道大学触媒化学研究センター

• 居島 薫

  山梨大学工学部

• 中村 基訓

  北海道大学大学院光学研究科

• 山口 徹

  NTT物性科学基礎研

• 竹中 久貴

  NTT-AT

• 小栗 克弥

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 朝倉 清高

  北大触媒化学研究センター

• 武笠 幸一

  北海道大学大学院工学研究科

• 永瀬 雅夫

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 大南 祐介

  株式会社日立ハイテクノロジーズ那珂事業所

• 武笠 幸一

  北海道大学 大学院工学研究科 ナノエレクトロニクス分野

• 高橋 庸夫

  NTT LSI研究所

• 中嶋 定夫

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 国井 秦夫

  NTT基礎研究所

• 泉 勝俊

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 牧野 孝裕

  NTT LSI研究所

• 国井 泰夫

  NTTLSI研究所

• 国井 秦夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 竹中 久貴

  Ntt-a

• 永瀬 雅夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

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著作論文

• シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
• 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 電子線リソグラフィー法による薄膜型微細加工酸化物触媒の調製とそのキャラクタリゼーション
• 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
• 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
• 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Siプローブを用いたμ-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
• 原子間力顕微鏡によるナノ構造計測
• 23pZN-7 Siナノ構造の酸化 : 熱酸化の自己停止
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 高温水素雰囲気中のSIM0X基板表面平坦化過程
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
• Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
• SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• グラフェンのエレクトロニクスへの展開
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTE-5 トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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