村瀬 克実 | NTT物性科学基礎研究所

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概要

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• NTT物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 村瀬 克実

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 高橋 庸夫

  NTT物性基礎研

• 村瀬 克実

  NTT LSI研究所

• 生津 英夫

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 栗原 健二

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 生津 英夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 永瀬 雅夫

  NTT物性基礎研

• 小野 行徳

  NTT物性科学基礎研究所

• 高橋 庸夫

  NTT LSI研究所

• 永瀬 雅夫

  NTT LSI研究所

• 藤原 聡

  Ntt物性科学基礎研究所

• 田部 道晴

  Ntt Lsi研究所:静岡大学

• 堀口 誠二

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 生津 英夫

  NTT LSI研究所

• 栗原 健二

  NTT LSI研究所

• 栗原 健二

  Ntt Lsi研

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 山崎 謙治

  NTT物性科学基礎研究所

• 栗原 健二

  NTT物性科学基礎研

• 生津 英夫

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 石山 俊彦

  Ntt Lsi研究所

• 白石 賢二

  筑波大物理

• 堀口 誠二

  NTT物性科学基礎研究所

• 藤原 聡

  NTT LSI研究所

• 堀越 佳治

  早稲田大学理工学部

• 高橋 庸夫

  Ntt基礎研

• 村瀬 克実

  NTT基礎研究所

• 岩立 和己

  Ntt Lsi研究所

• 劉 冠廷

  早稲田大学大学院電気工学専攻

• 堀越 佳治

  早稲田大学大学院電気工学専攻

• 小野 行徳

  Ntt Lsi研究所

• 堀口 誠二

  Ntt Lsi研究所

• 牧野 孝裕

  NTT LSI研究所

• 田村 浩之

  NTT基礎研究所

• 田村 治之

  NTT基礎研究所

• 堀口 誠二

  NTT LSI研:MIT

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著作論文

• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
• Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
• Si-SETにおける孤立Si島への単電子メモリ効果
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• Si単電子トランジスタの電圧利得と抵抗負荷型擬似nMOSインバータの性能解析
• シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
• Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
• SIMOX基板におけるSi/SiO_2界面のモホロジー
• パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
• 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
• 31a-ZB-2 Theory of Activated Conduction in a Si Single-Electron Transistor
• SC-9-5 シリコン系量子効果デバイスと単電子デバイスの進展
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
• ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工

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