白石 賢二 | 筑波大物理
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概要
関連著者
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白石 賢二
筑波大物理
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白石 賢二
筑波大学物理学系
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影島 博之
NTT物性基礎研
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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白石 賢二
NTT基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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堀口 誠二
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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堀口 誠二
NTT物性科学基礎研究所
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影島 博之
NTT基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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高橋 庸夫
北大
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白石 賢二
筑波大計科セ:jst-crest
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押山 淳
東大物工
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木村 敬
神奈川大理
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木村 敬
NTT物性基礎研
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木村 敬
東大理:東大新領域:早大理工総研
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棚谷 翔
筑波大院数理
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秋山 亨
三重大工
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初貝 安弘
筑波大物理
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小鍋 哲
東理大理
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赤木 和人
東北大WPI
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常行 真司
東大理
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秋山 亨
三重大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大計科セ
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村瀬 克実
NTT物性科学基礎研究所
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棚谷 翔
筑波大物理
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赤木 和人
東大院理
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赤木 和人
東北大
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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赤木 和人
東大理
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押山 淳
筑波大物理
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深津 茂人
Ntt物性科学基礎研究所
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小鍋 哲
筑波大物理
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白石 賢二
筑波大物理:筑波大計セ
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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押山 淳
東大院工
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伊藤 公平
慶応大理工
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黒木 和彦
電通大量子・物質工
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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常行 真司
東京大学大学院理学系研究科
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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大野 隆央
物材機構計算科学セ
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有田 亮太郎
東大理
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白石 賢二
筑波大院数物
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大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
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山口 栄一
Ntt基礎研
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大野 隆央
物材機構
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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梅澤 直人
物材機構
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部物理情報工学科
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押山 淳
筑波大計科セ
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岡野 真也
ACT-JST
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常行 真司
NTT物性基礎研
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岡野 真也
新潟大院自然
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深津 茂人
慶應義塾大学理工学部
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濱本 雄治
筑波大物理
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岩田 潤一
筑波大計算センター:crest
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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白石 賢二
筑波大計科セ:筑波大院数物:crest-jst
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小鍋 哲
筑波大物理:筑波大計科セ:CREST-JST
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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伊藤 公平
慶應義塾大学理工学部
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小鍋 哲
筑波大物理:JST CREST
著作論文
- 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
- 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
- 15aPS-29 SiO_2/Si(100) での格子間 Si の研究(領域 9)
- 21pXA-9 SiO_2/Si(100) 界面近傍における余剰 Si 点欠陥の安定性
- 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
- 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
- SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 新しい物理モデルに基づいたシリコン熱酸化のシミュレーション
- 解説 シリコン熱酸化の新しい描像
- 極薄シリコン酸化膜形成の理論
- 24pPSA-56 si酸化膜界面におけるSi原子の振る舞い
- Si/SiO_2界面形成における歪みの役割
- 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
- 27aY-13 Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討
- 28a-YR-11 第一原理計算によるSi表面、Si/SiO_2界面における酸化領域成長の研究
- 5a-B-5 di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算
- 7p-J-4 シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光
- 超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算
- 27aXJ-10 多軌道tight-binding modelによるシリセンのエッジ状態(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aDK-9 多軌道tight-binding modelを用いた積層シリセンの電子状態(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))