高柳 英明 | NTT物性基礎研
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概要
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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高柳 英明
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NTT物性基礎研
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沓澤 竜弥
NTT物性研
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木村 敬
NTT物性基礎研
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古賀 貴亮
NTT物性科学基礎研究所、NTT電信電話株式会社
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木村 敬
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NTT物性基礎研
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クラーソン T.
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Heersche H.
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany
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斎藤 志郎
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野村 晋太郎
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Heersche H.
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Schapers Th.
NTT物性科学基礎研究所
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デンマーク工科大学
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姜 承求
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Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo
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Ntt物性基礎研:青学大理工
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宮越 賢治
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Ntt物性基礎研:東北大院理
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Crest-jst:筑波大物質創成
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野村 晋太郎
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宮越 賢治
NTT物性基礎研
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仙場 浩一
NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研
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斎藤 志郎
NTT物性基磁研
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角柳 孝輔
NTT物性基磁研
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中野 勇人
NTT物性基礎研
著作論文
- 27aXC-2 Sr_2RuO_4-Ru共晶体における常伝導体/異方的超伝導体接合の電気伝導(Ru酸化物)(領域8)
- 17pTB-6 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成 II
- 28aYN-3 ソリトン型ポテンシャルを用いた単一光子生成
- 30aXC-3 磁束量子ビットの縮退点近傍でのコヒーレンス時間(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aTB-8 カゴメ型量子ドット列における磁場効果
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYD-7 超伝導リングにおける巨視的量子重ね合わせの実現(超伝導)(領域6)
- 28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 28aYH-6 超伝導磁束量子ビットのスペクトロスコピー
- 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
- 26pYT-11 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aTM-5 超伝導リングでの巨視 2 準位状態の位相測定(超伝導, 領域 6)
- 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
- 19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
- 19aYH-4 メゾスコピックSNSジョセフソン接合における異常な超伝導電流の振る舞い
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 27pD-1 InAs-ABリングにおける磁気抵抗振動の局所ゲート電圧依存性
- 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
- 30aXC-5 ジョセフソン非調和振動子による超伝導量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンス(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 18pYJ-13 量子ドット超格子における平坦バンド強磁性
- 18pYJ-12 プラケット型量子ドット超格子における超伝導の可能性
- 27aYS-6 トンネルバリアーを介した強磁性体/半導体接合におけるスピン注入のモデル計算
- 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
- 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
- 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
- 24pSA-8 InAs系ABリングにおけるコンダクタンス振動のゲート電圧依存性
- 23pL-8 強磁性体櫛形電極/半導体二次元電子ガス構造のスピン伝導特性
- 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
- 30p-A-2 超伝導-2DEG接合における巨大アンドレーフ後方散乱
- 24pP-10 孤立ジョセフソン接合線路における二重サイン・ゴルドン磁束量子ソリトン
- 26pYM-4 アンドレーエフ準粒子干渉計に対する静電効果
- 23aSB-6 超伝導ダングリング腕のあるS/N接合におけるジョセフソン効果
- 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
- 26pYM-2 超伝導ジョセフソン接合リングでの巨視的コヒーレンス
- 30p-A-8 メゾスコピックな強磁性金属の伝導度に現われる超伝導近接効果
- 13pYC-7 量子ドット列における調節可能な RKKY 交換相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aYA-5 半導体ドット列を用いた物質設計
- 25aK-7 半導体ドット列における強磁性
- 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 23aSA-11 長いコヒーレンス時間をもつ量子ビット作成の検討
- 24aK-7 帯電効果のある「超伝導体/常伝導体」微小接合におけるCooper対
- 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13pYD-10 超伝導磁束量子ビット(Progress in physics of superconducting junctions : phase, spin and control of quantum interference, 領域 8)
- 13pYD-10 超伝導磁束量子ビット(Progress in physics of superconducting junctions : phase, spin and control of quantum interference, 領域 4)
- 19pYH-3 超伝導磁束量子ビット
- 超伝導体-半導体-超伝導体構造におけるサイドゲートによるバリスティック反射
- 25aWE-8 DC-SQUIDによる超伝導磁束qubit測定の理論的検討(25aWE 金属微小接合・ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))