新田 淳作 | NTT物性科学基礎研
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概要
関連著者
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新田 淳作
NTT物性科学基礎研
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新田 淳作
Ntt物性科学基礎研究所
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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古賀 貴亮
NTT物性科学基礎研究所、NTT電信電話株式会社
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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新田 淳作
科技機構crest:東北大工
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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関根 佳明
NTT物性研
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関根 佳明
NTT-BRL
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川村 稔
NTT物性基礎研
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中ノ 勇人
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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中ノ 勇人
NTT物性基礎研
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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川村 稔
理研
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Schapers Th.
Institut fur Schichten und Grenzflachen, Forshungszentrum Julich, Germany
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Heersche H.
Department of Applied Physics, University of Groningen, The Netherlands
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野村 晋太郎
筑波大物質創成
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Heersche H.
Department Of Applied Physics University Of Groningen The Netherlands
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Schapers Th.
Institut Fur Schichten Und Grenzflachen Forshungszentrum Julich Germany
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津村 公平
筑波大物質創成
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Heersche H.
NTT物性科学基礎研究所
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Schapers Th.
NTT物性科学基礎研究所
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Hu Can-Ming
ハンブルグ大学
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Jensen A.
デンマーク工科大学
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Hansen J.
デンマーク工科大学
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Berghuis J.W.
フローニンゲン大学
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大岩 顕
神蛮川科学技術アカデミー
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宗片 比呂夫
神蛮川科学技術アカデミー : 東工大・工
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Slupinski T.
神蛮川科学技術アカデミー
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関根 佳明
NTT物性科学着磯研究所
著作論文
- 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pWF-2 ゲート電界によるRashbaスピン軌道相互作用の制御(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 電界効果スピントランジスタへ向けての現状と問題点(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 電界効果スピントランジスタの現状と展望
- 強磁性体/半導体二次元電子ガスハイブリッド構造と電界効果スピントランジスタ
- 27pD-1 InAs-ABリングにおける磁気抵抗振動の局所ゲート電圧依存性
- 27aYS-6 トンネルバリアーを介した強磁性体/半導体接合におけるスピン注入のモデル計算
- 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
- 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
- 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
- 24pSA-8 InAs系ABリングにおけるコンダクタンス振動のゲート電圧依存性
- 23pL-8 強磁性体櫛形電極/半導体二次元電子ガス構造のスピン伝導特性
- 26pWE-5 p-In_Mn_As/n-InAs接合における平行輸送特性(26pWE 領域4,領域5合同磁性半導体,スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))