関根 佳明 | NTT-BRL
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概要
関連著者
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関根 佳明
NTT-BRL
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科技機構crest:東北大工
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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上田 寛
東大物性研
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峰重 俊介
北大院情報
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磯部 正彦
東大物性研
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高橋 博樹
日大文理
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影島 博之
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山口 浩司
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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齊藤 志郎
NTT物性基礎研
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日本電信電話NTT物性研
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日本電信電話NTT物性研
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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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中ノ 勇人
NTT物性基礎研
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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東理大:物材機構:jst-crest
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永瀬 雅夫
Ntt物性科学基礎研究所
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山口 浩司
Ntt物性科学基礎研究所
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斎藤 志郎
日本電信電話株式会社ntt物性基礎研:科技団crest
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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田中 弘隆
NTT物性基礎研
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田中 弘隆
Ntt Brl
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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永瀬 雅夫
Ntt 物性科学基礎研
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高橋 博樹
日本大学文理学部
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新田 淳作
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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山口 浩司
根室市立病院外科
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秋光 純
青学大理工
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相馬 聡文
神戸大工
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加藤 健介
東大物性研
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古賀 貴亮
北大創成
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高橋 博樹
東大物性研
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秋光 純
青学理工
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藤田 治
青学大理工
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藤田 治
青学理工
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松浦 徹
北大院工
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相馬 聡文
神戸大院工
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永瀬 雅夫
徳島大工
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小栗 克弥
Ntt物性基礎研
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相馬 聡文
神戸院工
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山内 徹
東大物性研
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西 正和
東大物性研
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日比野 浩樹
NTT物性科学基礎研
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小川 真人
神戸大工
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松本 武彦
金材技研
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川畑 史郎
産総研
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佐藤 正俊
名大理
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永瀬 雅夫
NTT物性基礎研
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松本 武彦
物・材機構
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宮坂 茂樹
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高木 英典
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東北大院工
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東北大工
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秋重 幸邦
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Ramasesha Sheela
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川畑 史郎
産総研:crest
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小坂 孝幸
筑波大物質工
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ルヴァン大
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向井 肇
神戸大院工
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高橋 博樹〔他〕
京大学物性研究所
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日大文理
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齋藤 志郎
NTT物性基礎研
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古賀 貴亮
科学技術振興事業団さきがけ研究21:日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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斎藤 志郎
NTT物性基磁研
著作論文
- 23aHW-9 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用最小点での弱局在/反局在とスピン干渉効果(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-8 InGaAs量子井戸におけるラシュバスピン軌道相互作用が大きい領域での反局在解析(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26p-PSA-47 スピン・パイエルス物質CuGeO_3の誘電異常II
- 2a-Z-5 スピン・パイエルス物質CuGeO_3の誘電異常
- 20aTA-9 InGaAs/InAlAs量子井戸における三角形ループ配列構造を用いたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aTA-10 三角形ループにおけるRashba、Dresselhaus項を含めたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pXB-9 正方形ループ配列構造におけるスピン干渉効果のラシュバ、ドレッセルハウス項を含めた解析(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
- 29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
- 28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
- 8a-M-8 BaCo_Ni_xS_2の高圧下でのHall係数
- 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
- 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
- 26aXL-4 磁性細線中に捕捉された磁壁の局所ホール効果による検出(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
- 25p-YH-8 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の誘電異常II
- 28a-PS-78 Ni(S_Se_x)_2における熱電能の高圧効果
- NiS_Se_xの金属-絶縁体転移
- 2a-Z-4 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の誘電異常
- 5p-PSA-11 スピンパイエルス物質NaV_2O_5の電気抵抗の圧力効果
- 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTL-2 InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-1 弱局在/反局在測定によるInGaAs量子井戸のスピン軌道相互作用係数の定量的決定(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTL-12 InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- NiS_2における輸送現象の圧力効果
- 電子スピン回転とスピン軌道係数の定量的決定 (特集 量子コンピュータ)