赤崎 達志 | NTT物性基礎研

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概要

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• NTT物性基礎研の論文著者

関連著者

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 平山 祥郎

  東北大理

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 野村 晋太郎

  科技団:筑波大物理

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 津村 公平

  筑波大物質創成

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 関根 佳明

  NTT-BRL

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 小林 俊之

  Ntt物性基礎研

• 鶴田 尚英

  NTT物性基礎研

• 鶴田 尚英

  Ntt物性基礎研:東理大理

• 新田 淳作

  NTT物性科学基礎研

• 関根 佳明

  Ntt物性基礎研

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 原田 裕一

  NTT物性基礎研

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 高柳 英明

  東理大理

• 新田 淳作

  Ntt物性科学基礎研究所

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 田仲 由喜夫

  名大工

• 柏谷 聡

  産総研

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 関根 佳明

  NTT物性研

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  東京大学大学院 情報理工学系研究科

• 中ノ 勇人

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 中ノ 勇人

  NTT物性基礎研

• 山口 浩司

  三菱重工業(株)

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 佐藤 大輔

  筑波大物質創製

• Tanaka Y

  Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo

• 横山 毅人

  東大工

• 大塚 洋一

  筑波大数理物質

• 田仲 由喜夫

  名大院工

• 浅野 泰寛

  北大工

• Golubov Alexander

  Twente Univ

• 横山 毅人

  名大工

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 川村 稔

  NTT物性基礎研

• 日比野 浩樹

  NTT基礎研

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 宗片 比呂夫

  東工大院 像情報工学研究施設

• 川村 稔

  理研

• 佐久 規

  NTT-AT

• Alexander Golubov

  Twente大

• 永瀬 雅夫

  Ntt物性科学基礎研究所

• 柏谷 聡

  電総研

• 山口 浩司

  Ntt物性科学基礎研究所

• 林 伸明

  筑波大院物質創成

• 柳 暁志

  東工大院

• 伊藤 宙陛

  筑波大数理物質

• 柴田 祐輔

  筑波大数理物質

• Tanuma Y

  Nagoya Univ. Nagoya Jpn

• 日比野 浩樹

  Ntt物性科学基礎研究所

• 浅野 秦寛

  北大

• 宮越 賢治

  CREST-JST

• Tanaka Y

  Suwa Trust Co. Ltd. Ohmori Tokyo

• Richter A.

  Ntt物性基礎研:crest-jst

• Ootuka Youiti

  Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo

• Ootuka Youiti

  Tsukuba Research Center For Interdisciplinary Materials Science And Institute Of Physics University

• Ootuka Youiti

  Institute Of Physics Tsukuba University

• Golubov Alexander

  Twente大

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 古賀 貴亮

  NTT物性科学基礎研究所、NTT電信電話株式会社

• 古谷 景佑

  筑波大数理物質

• 姜 承求

  Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成

• 日比野 浩樹

  Ntt物性基礎研

• 永瀬 雅夫

  Ntt 物性科学基礎研

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 永瀬 雅夫

  徳島大工

• 小栗 克弥

  Ntt物性基礎研

• 山口 浩司

  根室市立病院外科

• 大塚 洋一

  筑波大数理

• 笹倉 弘理

  北海道大学電子科学研究所

• 岡本 創

  Ntt物性基礎研

• 田仲 由喜夫

  新潟大・理

• 田仲由 喜夫

  名古屋大

• 矢口 宏

  東理大理工

• 植木 峰雄

  NTTエレクトロニクステクノ株式会社

• 矢口 宏

  京大院理

• 滝沢 恵一

  京大院理

• 小林 直樹

  東大院理

• l前野 悦輝

  京大院理

• 目野 誉喜

  NTT-ATN

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明C

  NTT物性基礎研

• 大塚 洋一

  筑波大物理

• 小林 暁

  東工大・像情報

• Tzalenchuk A.

  NPL

• 齊藤 志郎

  NTT物性基礎研

• 末宗 幾夫

  北大電子研

• 春山 純志

  青学大理工

• 平山 祥朗

  NTT物性基礎研

• 北川 広野

  Crest-jst:東理大理

• 小栗 克弥

  NTT物性科学基礎研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研

• 高柳 英明

  CREST-JST

• 姜 承求

  NTT物性基礎研

• 姜 承求

  筑波大物質創成

• 澤 雄生

  名大工

• 斎藤 志郎

  日本電信電話株式会社ntt物性基礎研:科技団crest

• 武末 出美

  早大:jst-crest

• 宮臺 信一郎

  青学理工

• 武末 出美

  NTT物性基礎研

• 宮臺 信一郎

  NTT物性基礎研

• 小林 直樹

  青学大理工

• 時田 淳

  青学大理工

• 野村 雅人

  青学大理工

• 仙場 浩一

  Ntt物性科学基礎研究所

• 末宗 幾夫

  北海道大学電子科学研究所

• 熊野 英和

  北海道大学電子科学研究所

• 末宗 幾夫

  北大:crest-jst

• 丸山 達朗

  NTP-AT

• 宮下 宣

  NTP-AT

• 小野 絢哉

  CREST-JST

• 春山 純志

  青学理工:jst-crest

• 西沢 望

  物材機構MANA

• 板橋 宜幸

  東理大

• 高柳 英明

  物材機構MANA

• TANAKA Yasumoto

  Electrotechnical Laboratory

• 小林 慶裕

  NTT物性基礎研

• 田中 弘隆

  NTT物性基礎研

• Mooij J.

  デルフト工科大学

• 田中 弘隆

  Ntt Brl

• Mooij J.

  デルフト工科大

• 野村 晋太郎

  筑波大院物質創成

• 津村 公平

  筑波大院物質創成

• 林 伸明

  筑波大物質創成

• Richter Andreas

  NTT物性科学基礎研究所

• Tanaka Y

  Department Of Applied Physics Nagoya University:crest Japan Science And Technology Corporation (jst)

• 熊野 英和

  北海道大学電子科学研究所:jst Crest

• Tanaka Y

  The Institute Of Physical And Chemical Research

• 鐘元 良

  東理大理

• 神崎 賢一

  NTT物性基礎研

• 新田 淳作

  科技機構crest:東北大工

• 新田 淳作

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst

• 新田 淳作

  東北大

• 新田 淳作

  東北大院工

• 宮城 浩一

  筑波大数理物質

• 眞田 治樹

  NTT物性基礎研

• 寒川 哲臣

  NTT物性基礎研

• L前野 悦輝

  京大院理:京大国際融合創造セ

• 笹倉 弘理

  北海道大学電子科学研究所:jst Crest

• 植木 峰雄

  NELテクノ

• Delbecq M.

  NTT物性基礎研

• 宮台 信一郎

  Ntt物性基礎研:青学大理工

• 鐘元 良

  東理大理:ntt物性基礎研

• Delbecq M.

  Ntt物性基礎研:espci

• 宮越 賢治

  東理大物理

• 高柳 英明

  東理大物理

• 佐藤 大輔

  筑波大理

• 宮越 賢治

  東理大理

• 佐藤 大輔

  筑波大物理

• 田仲 由喜夫

  名大

• 許 載勲

  北海道大学電子科学研究所

• 田中 和典

  浜松ホトニクス中央研究所

• 小野 絢哉

  Crest-jst:筑波大物質創成

• 田中 和典

  浜ホト中研:crest-jst

• 能政 広毅

  東工大像情報

• 高柳 英明

  東理大総合研究機構

• 寒川 哲臣

  Ntt物性基礎

• Tanaka Yoshimitsu

  Department Of Metal Science And Technology Kyoto University:research And Development Laboratory Mats

• 野村 晋太郎

  CREST-JST

• 宮越 賢治

  NTT物性基礎研

• 眞田 治樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 宮城 浩一

  筑波大物理学域

• 末宗 幾夫

  北海道大学 電子科学研究所

• 野村 晋太郎

  筑波大物理学域

• 笹倉 弘理

  北海道大学 電子科学研究所

• 熊野 英和

  北海道大学 電子科学研究所

• 仙場 浩一

  NTT物性基磁研

• 間明田 周平

  筑波大物理

• 柴田 祐輔

  筑波大物理

• 伊藤 宙陛

  物材機構

• 入江 宏

  NTT物性基礎研

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著作論文

• 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-2 ピエゾ抵抗における超伝導近接効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aWF-5 共晶体を用いたSr_2RuO_4/Ru接合の準粒子トンネル効果(Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 29pZP-1 NbN/多層カーボンナノチューブ接合におけるキャリア輸送特性 : 朝永-ラッティンジャー液体的振る舞いと超伝導の相関(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
• 19aRD-1 超伝導体・半導体接合の顕微光照射によるイメージング(超伝導(近接効果),領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-3 超伝導・半導体接合への光照射効果(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
• 19aYH-4 メゾスコピックSNSジョセフソン接合における異常な超伝導電流の振る舞い
• 26aXL-4 磁性細線中に捕捉された磁壁の局所ホール効果による検出(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19pRC-10 超伝導体/カーボンナノチューブ・ネットワーク系の輸送特性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
• 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
• 17pYG-7 強磁場中における超伝導体/2次元電子ガス接合の輸送特性
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 26aTA-3 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱(26aTA 領域7,領域9合同 グラフェン(ラマン分光/端状態),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTE-6 SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱II(22aTE 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26pCJ-3 ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pBC-5 超伝導体/強磁性体接合における奇周波数クーパー対(25pBC 領域6,領域8合同シンポジウム主題:奇周波数クーパー対の物理,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25pBC-5 超伝導体/強磁性体接合における奇周波数クーパー対(25pBC 領域6,領域8合同シンポジウム 主題:奇周波数クーパー対の物理,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 26pSA-4 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-3 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDD-8 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aAU-5 アンドレーエフ反射を用いたInGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極効果の検証(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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