野村 晋太郎 | NTT物性基礎研
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概要
関連著者
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田村 浩之
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山口 真澄
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筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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筑波大院数物
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Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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東理大:物材機構:jst-crest
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CREST-JST
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NTP-AT
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Delbecq M.
Ntt物性基礎研:espci
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小野 絢哉
Crest-jst:筑波大物質創成
著作論文
- 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
- 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))