19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2005-08-19

著者

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 宮越 賢治

  CREST-JST

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

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