山口 真澄 | NTT物性基礎研

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概要

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関連著者

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大数理物質:ntt物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大院数物

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 平山 祥郎

  東北大理

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 野村 晋太郎

  筑波大物質創成

• 野村 晋太郎

  筑波大物理

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 野村 晋太郎

  科技団:筑波大物理

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 野村 晋太郎

  NTT物性基礎研

• 宮越 賢治

  東京理科大:crest-jst

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 佐藤 大輔

  東大院理

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 佐々木 豊

  京大院理:京大低温セ

• 柏谷 聡

  産総研

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部

• 水崎 隆雄

  福井大遠赤セ

• 津村 公平

  筑波大物質創成

• 佐藤 大輔

  筑波大物質創製

• 大塚 洋一

  筑波大数理物質

• 水崎 隆雄

  京大理

• 阿部 聡

  金沢大・理

• 鈴木 治彦

  金沢大・理

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 野村 竜司

  ノースウエスタン大

• 鈴木 雅史

  京大理

• 柏谷 聡

  電総研

• 林 伸明

  筑波大院物質創成

• 伊藤 宙陛

  筑波大数理物質

• 柴田 祐輔

  筑波大数理物質

• 宮越 賢治

  CREST-JST

• 山口 真澄

  京大理

• Ootuka Youiti

  Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo

• Ootuka Youiti

  Tsukuba Research Center For Interdisciplinary Materials Science And Institute Of Physics University

• Ootuka Youiti

  Institute Of Physics Tsukuba University

• 宮越 賢治

  東京理科大

• 古谷 景佑

  筑波大数理物質

• 飯野 勇人

  金沢大・理

• 山口 真澄

  金沢大・理

• 大塚 洋一

  筑波大数理

• 佐々木 聡

  阪大産研

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 佐々木 豊

  京大理

• 山口 浩司

  Ntt物性基礎研

• 佐々木 聡

  京大院理

• 水崎 隆雄

  京大院理

• 山口 真澄

  京大院理

• 松原 明

  京大院理

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 大塚 洋一

  筑波大物理

• 原田 裕一

  NTT物性基礎研

• 松原 明

  京大理

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 松原 明

  京大低温セ

• Tayurskii D.

  金沢大・理

• 佐久 規

  NTT-AT

• Tayurskii D.a.

  カザン大

• 野村 竜司

  京大理

• 平山 祥朗

  NTT物性基礎研

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 北川 広野

  Crest-jst:東理大理

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 姜 承求

  筑波大物質創成

• 高柳 英明

  東理大理

• 水崎 隆雄

  京都大学理学部第一教室

• 丸山 達朗

  NTP-AT

• 宮下 宣

  NTP-AT

• 小野 絢哉

  CREST-JST

• 徐 迅

  阪大院基礎工

• Richter A.

  Ntt物性基礎研:crest-jst

• 鷹岡 宏司

  京大理

• 徐 迅

  京大理

• 内田 昭嘉

  京大理

• ヘンスリー H.H.

  京大理

• 佐々木 豊

  ペンシルバニア大

• 野村 晋太郎

  筑波大院物質創成

• 津村 公平

  筑波大院物質創成

• 林 伸明

  筑波大物質創成

• 宮城 浩一

  筑波大数理物質

• 眞田 治樹

  NTT物性基礎研

• 寒川 哲臣

  NTT物性基礎研

• 姜 承求

  Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成

• 那須 光弘

  金沢大・理

• Delbecq M.

  NTT物性基礎研

• YURII S.

  金沢大・理

• TAYURSKII D.A

  金沢大・理

• Delbecq M.

  Ntt物性基礎研:espci

• Tagirov M.s.

  金沢大・理

• Mukhamedshin I.r.

  金沢大・理

• 宮越 賢治

  東理大物理

• 高柳 英明

  東理大物理

• 佐藤 大輔

  筑波大理

• 宮越 賢治

  東理大理

• 佐藤 大輔

  筑波大物理

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 小野 絢哉

  Crest-jst:筑波大物質創成

• 寒川 哲臣

  Ntt物性基礎

• 野村 晋太郎

  CREST-JST

• 宮越 賢治

  NTT物性基礎研

• 眞田 治樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 宮城 浩一

  筑波大物理学域

• 野村 晋太郎

  筑波大物理学域

• 佐々木 豊

  京大院理

• 後藤 秀樹

  NTT物性基礎研

• 小野 真証

  NTT物性基礎研

• 章国 強

  NTT物性基礎研

• Cox David

  英国物理研

• 間明田 周平

  筑波大物理

• 柴田 祐輔

  筑波大物理

• 伊藤 宙陛

  物材機構

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著作論文

• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域5(光物性))
• 21pGV-3 トリオン-二次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光(21pGV 領域5,領域4,領域8合同シンポジウム:半導体のキャリアドーピングと光,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWB-8 核整列固体^3Heの超音波
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-1 格子型表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(2)(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aTK-8 高ランダウ準位におけるストライプ・バブル相のフォトルミネセンス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-2 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測 その2(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aYM-9 核整列固体ヘリウム3における超音波測定III
• 25p-YA-7 核整列固体ヘリウム3における超音波測定II
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aTA-10 InAlAs/InGaAsヘテロ構造における負の光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pPSA-8 n型量子井戸の空間分解光伝導測定(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-9 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の蛍光寿命のゲート電圧依存性(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27pVE-9 格子状表面ゲート付き非ドープGaAs量子井戸の発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 低密度二次元系のキャリア相関の発光測定
• 14aYB-11 バックゲート付き量子井戸における荷電励起子(量子ホール効果, 領域 4)
• 31p-T-2 単結晶Sc金属のNMR測定
• 6a-L-9 Sc金属のスピン-格子緩和時間II
• 25pWJ-4 Variation of charged and neutral exciton-photoluminescence intensities with time in GaAs quantum well
• 27aZC-8 励起子の量子シーソー効果 : 発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25aYT-5 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYC-9 ゲート付き Be-δドープ GaAs 量子井戸発光の電子密度依存性 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-9 ゲート付Be-δドープGaAs量子井戸発光の電子密度依存性(量子井戸・超格子)(領域4)
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-4 量子ドットが結合した量子細線の電気伝導特性(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXC-7 半導体低次元キャリア間相互作用の光学検出(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-4 アクセプターをδドープした80nmのGaAs量子井戸におけるゲートによる電荷誘起と電場効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-7 励起子の量子シーソー効果 : 理論(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-3 ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pSA-4 ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-3 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aFB-4 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pCJ-4 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-3 ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pDD-8 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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