佐々木 智 | Nit物性基礎研

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概要

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関連著者

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 樽茶 清吾

  科技団創造:東大理:ntt物性基礎研

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• 佐々木 智

  NTT基礎研

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Austing David

  NTT基礎研

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 赤崎 達志

  NTT物性基礎研

• 樽茶 清悟

  東大理

• Austing David

  Nrc

• Austing D.

  Nrc

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 本多 隆

  NTT基礎研究所

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  NTT物性基礎研

• 藤澤 利正

  東工大極低温セ

• 大野 圭司

  東大理

• 天羽 真一

  東大理

• 小林 俊之

  Ntt物性基礎研

• 鶴田 尚英

  NTT物性基礎研

• Austing David

  Ntt物性科学基礎研

• 鶴田 尚英

  Ntt物性基礎研:東理大理

• 藤沢 利正

  Ntt 基礎研

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 丸山 達朗

  NTT-AT

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 宮下 宣

  NTT-AT

• 太田 剛

  NTT物性基礎研

• Austing D.

  NTT物性基礎研究所

• 宮下 宣

  NTTアドバンステクノロジ

• 村木 康二

  NTT基礎研

• Austing D.

  Ntt物性基礎研

• Austing David

  Ntt基礎研究所

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 久保 敏弘

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  ICORP-JST

• 熊田 倫雄

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  東北大理

• 久保 敏弘

  Icorp

• 樽茶 清悟

  東大工

• 江藤 幹雄

  慶大理工

• 平山 祥郎

  NTT物性基礎研

• 平山 祥郎

  Ntt基礎研

• 小寺 哲夫

  東大理

• 高柳 英明

  東理大:物材機構:jst-crest

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 樽茶 清悟

  NTT物性基礎研

• Austing D.

  NTT基礎研

• 樽茶 清悟

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kouwenhoven Leo

  ERATO

• Franceschi Silvano

  デルフト工科大

• 小林 嵩

  NTT物性基礎研

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 小林 嵩

  Ntt物性基礎研:東北大理

• 姜 承求

  Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成

• Kouwenhoven Leo

  Erato:デルフト工科大

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 樽茶 清悟

  日本電信電話(株)基礎研究所 材料物性研究部 樽茶グループ

• 寺岡 総一郎

  ICORP-JST

• 山口 真澄

  NTT物性基礎研

• 大野 圭司

  理研

• 平山 祥郎

  東北大院理

• 寺岡 総一郎

  ERATO SORST

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 高柳 英明

  NTT物性基礎研

• 林 稔晶

  Ntt物性基礎研

• 佐藤 俊彦

  Erato

• 泉田 渉

  東北大理

• 樽茶 清悟

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 山田 和正

  九大院理

• 山田 和正

  九大理

• Wiel W.

  東大理

• 山田 和正

  JST-ERATO

• 佐藤 俊彦

  JST-ERATO

• 丸山 達朗

  JST-ERATO

• 太田 剛

  JST-ERATO

• 天羽 真一

  ERATO-JST

• 大野 圭司

  東大工

• 浅川 直輝

  NTT物性基礎研

• 北川 広野

  Crest-jst:東理大理

• van der

  Faculty of Applied Science, Kavli Institute of Nanoscience Delft, Delft University of Technology

• Wiel van

  東大理O

• 北村 吉隆

  東大理

• 泉田 渉

  ERATO

• Fransechi Silvano

  デルフト工科大

• Franceschi S.

  デルフト工大

• Elzerman J.

  デルフト工大

• Wiel W.

  デルフト工大

• Kouwenhoven L.

  デルフト工大

• David G.Austing

  NTT基礎研

• 高柳 英明

  CREST-JST

• 姜 承求

  NTT物性基礎研

• 姜 承求

  筑波大物質創成

• 椿 光太郎

  NTT基礎研究所

• 樽茶 清悟

  Ntt 基礎研

• Robert C.liu

  Stanford大

• 椿 光太郎

  東洋大学工学部

• 佐々木 智

  NTT 基礎研

• AUSTING David

  NTT 基礎研

• 都倉 康弘

  NTT 基礎研

• 村木 康二

  NTT 基礎研

• Van Der

  Faculty Of Aerospace Engineering Delft University Of Technology

• Wiel W.

  東大理:jst-presto

• Van Der

  Faculty Of Applied Science Kavli Institute Of Nanoscience Delft Delft University Of Technology

• 椿 光太郎

  Ntt基礎研

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 樽茶 清悟

  東京大学大学院工学系研究科

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著作論文

• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 29aYH-6 人工原子における高スピン状態の近藤効果
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
• 量子ドットの近藤効果(近藤効果はめぐる : 近藤効果40周年)
• 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
• 半導体量子ドットにおける近藤効果
• 27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
• 量子ドットの近藤効果 (特集 物性科学の最新動向)
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• トピックス 縦型量子ドットにおける新型近藤効果
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
• 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 半導体量子ドットにおける近藤効果
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音

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