樽茶 清悟 | 東大理
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概要
関連著者
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樽茶 清悟
東大理
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大野 圭司
東大理
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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Austing David
NTT基礎研
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Austing D.
Nrc
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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Austing David
Nrc
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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佐藤 俊彦
Erato
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天羽 真一
東大理
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山本 倫久
東大理
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Stopa M.
Erato
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
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天羽 真一
ICORP-JST
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平山 祥郎
東北大理
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宮下 宣
NTT-AT
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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Stopa M.
ERATO SORST
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佐々木 智子
NTT基礎研
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Austing D.
Ntt物性基礎研
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小寺 哲夫
東大理
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樽茶 清悟
東大院工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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Austing D.
NTT物性基礎研究所
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村木 康二
NTT基礎研
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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新田 英嗣
東大理
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小林 俊一
理研
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大塚 洋一
筑波大物理:学際物質センター
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宮崎 久生
独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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横山 弘泰
東大理
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浅山 徹哉
東大理
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Austing D.
NTT基礎研
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佐々木 智
NTT基礎研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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浅山 徹哉
ソニー
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八木 隆多
広大院先端物質
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山口 尚秀
東大理
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八木 隆多
CREST (JST)
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宮崎 久生
筑波大物理
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神田 晶申
CREST (JST)
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大塚 洋一
CREST (JST)
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Kouwenhoven Leo
Erato:デルフト工科大
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山口 智弘
Erato
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江藤 幹雄
慶大理工
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西 義史
東大理
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山口 智宏
理研
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Kouwenhoven Leo
ERATO
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Franceschi Silvano
デルフト工科大
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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宮下 宣
NTT基礎研
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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寺岡 総一郎
ICORP-JST
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小幡 利顕
ICORP-JST
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秋永 広幸
JRCAT
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大野 圭司
理研
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寺岡 総一郎
ERATO SORST
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村木 康二
NTT物性基礎研
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眞砂 卓史
JRCAT
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眞砂 卓史
Jrcat:オングストロームテクノロジ研究機構
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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泉田 渉
東北大理
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北村 陽介
東大工
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岩井 泰章
東大理
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丸山 達朗
NTT-AT
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太田 剛
NTT物性基礎研
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山田 和正
九大院理
-
山田 和正
九大理
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上村 崇史
筑波大
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松本 和彦
産総研
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北村 陽介
東工大
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Wiel W.
東大理
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山田 和正
JST-ERATO
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佐藤 俊彦
JST-ERATO
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丸山 達朗
JST-ERATO
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太田 剛
JST-ERATO
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平山 祥朗
NTT物性基礎研
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本田 元就
東大理
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沼田 愛彦
東大理
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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西 義史
(株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー
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Wiel van
東大理O
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北村 吉隆
東大理
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泉田 渉
ERATO
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Fransechi Silvano
デルフト工科大
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松本 和彦
産総研:阪大産研
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山口 健作
東大理
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大学
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小幡 利顕
東大工
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Wiel W.
PRESTO
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山口 晋平
東大理
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Austing D.G.
NTT基研
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都倉 康弘
NTT基研
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Austing D.G.
NTT基礎研
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都倉 庫弘
NTT基礎研
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大
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藤原 稔
Ntt基礎研
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高橋 庸夫
Ntt基礎研
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Wiel W.
東大理:jst-presto
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佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
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Viel Wifred
デルフト工科大
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山本 倫久
東大理,ERATO
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羽田野 剛司
ERATO
-
羽田野 剛司
ERATOC.
著作論文
- 23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 31aZK-5 可変トンネル障壁を有する量子細線の電気伝導
- 17aYG-8 2重ショットキーゲート電極による1-0-1次元構造の作成
- 18pWA-6 GaAs基板上に成長したCo/Al_2O_3/Feのスピンバルブ特性
- 31aZP-5 2 次元電子量子ホール系における電子スピン共鳴と核スピンポンピング
- 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
- 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
- 27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
- 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
- 24pK-2 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移II
- 24pK-1 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列における超伝導臨界電流
- 27aD-3 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移
- 29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
- 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31aZK-6 結合量子細線における細線間のトンネル電流
- 17aYG-9 結合量子細線における負のドラッグ抵抗
- 28aYS-8 結合量子細線におけるクーロンドラッグとフォノンドラッグ
- 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
- 24pSA-5 結合量子細線におけるクーロンドラッグの温度特性
- 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 26pD-5 磁場中の人工原子におけるクーロン直接項と交換項 : フント第一則との関係
- 26pD-3 弱結合縦型二重ドットの電気伝導II
- 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
- 27pTB-3 2重量子ドットにおけるLOフォノン介在トンネリング
- 24pK-12 結合量子細線におけるクーロンドラッグ
- 18pYJ-3 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける動的核スピン分極
- 26pD-4 Si量子ドットのゼーマン効果
- 18pYJ-6 多重ゲート縦型二重量子ドットにおける面内閉じ込め異方性の制御
- 29pYG-11 半導体二重量子ドットにおける核スピンのコヒーレント制御(量子ホール効果)(領域4)
- 2003年度サー・マーティン・ウッド賞 ; 藤澤利正氏
- 22pTH-6 スピンブロッケード状態下の量子ドットにおける核スピン制御
- 7pSA-9 人工分子のドット間オフセットと結合反結合電子状態(量子ドット,領域4)
- 24aXP-3 2重障壁ポテンシャル変調をもつ半導体量子細線の電気伝導特性(24aXP 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 6aSA-8 結合量子細線における負のドラッグ抵抗とその磁場依存性(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)