都倉 康弘 | Ntt基礎研
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概要
関連著者
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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本多 隆
NTT基礎研究所
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樽茶 清悟
東大理
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Austing David
NTT基礎研
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Austing D.
Nrc
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佐久 規
NTT-AT
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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村木 康二
NTT基礎研
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Austing David
Nrc
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佐久 規
NTT基礎研究所
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大野 圭司
東大理
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宮下 宣
NTT-AT
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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新田 英嗣
東大理
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平山 祥郎
東北大理
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佐々木 智
NTT基礎研
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Austing D.G.
NTT基礎研
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Austing D.
NTT基礎研
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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堀越 佳治
NTT基礎研究所
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堀越 佳治
早大理工
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大学
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Kouwenhoven Leo
Erato:デルフト工科大
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大
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堀越 佳治
Ntt基礎研
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宮下 宣
NTT基礎研
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椿 光太郎
Ntt基礎研
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小野 輝男
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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天羽 真一
ICORP-JST
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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樽茶 清悟
東大工
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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Ntt基礎研究所
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河野 公俊
理研
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大野 圭司
理研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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秋元 彦太
理研
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都倉 康弘
NTT 武蔵野電気通信研究所
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椿 光太郎
NTT 武蔵野電気通信研究所
-
杉村 陽
NTT 武蔵野電気通信研究所
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小野 輝男
慶大理工
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樽茶 清悟
東大ナノ量子機構
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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Stopa M.
ERATO SORST
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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斎藤 久夫
NTT基礎研究所
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天羽 真一
東大理
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浅山 徹哉
東大理
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黄 旭明
理研
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山本 倫久
東大理
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David G.Austing
NTT基礎研
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椿 光太郎
NTT基礎研究所
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浅山 徹哉
ソニー
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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Austing D.g
Ntt基礎研究所
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福井 孝志
Ntt基礎研究所
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西原 禎孝
京大化研
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斎藤 建
Ntt基礎研究所
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Stopa M.
Erato
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好田 誠
東北大通研
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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椿 光太郎
NTT電気通信研究所
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都倉 康弘
NTT電気通信研究所
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安藤 精後
NTT電気通信研究所
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本多 隆
NTT電気通信研究所
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高梨 良文
NTT電気通信研究所
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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新田 淳作
東北大院工
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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藤澤 利正
NTT基礎研究所
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樽茶 清悟
東大理、NTT基礎研
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Wieck A.D.
NTT Basic Research Labs.
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Haug R.J.
Max-Planck-Institut
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Koch S.
Max-Planck-Institut
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Klitzing K.von
Max-Planck-Institut
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Ploog K
Darmstadt Univ.
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Phillips J.R.
NTT基礎研究所
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黄 旭明
理研:台湾交通大
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山本 倫久
東大物工:erato-jst
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Viel Wifred
デルフト工科大
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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Odintsov A.a.
デルフト工科大
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A Odintsov
デルフト工科大
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Odintsov A.
デルフト工科大
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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河野 公俊
理研:東工大理
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好田 誠
JST-PRESTO
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樽茶 清悟
東大理物理
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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平山 祥郎
NTT物性科学基礎研
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都倉 康弘
NTT基礎研究所
-
樽茶 清悟
NTT基礎研究所
著作論文
- 3p-F-1 零磁場下の2DEG細線の電子状態
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
- 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
- 3p-B1-2 GaAs表面原子ステップを利用した超格子
- 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 24p-M-17 変調ドープ分数原子層超格子構造における磁気的トンネリング効果
- 28a-F-6 周期ポテンシャル下の二次元電子ガスの強磁場伝導
- 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
- 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
- 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
- 26pD-5 磁場中の人工原子におけるクーロン直接項と交換項 : フント第一則との関係
- 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
- 31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
- 27p-YG-8 縦型2重ドットにおけるトンネル電流の抑制
- 27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
- 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
- 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
- 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
- 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
- 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
- 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
- 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
- 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
- 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
- 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
- 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
- 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
- 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
- 27a-P-9 バリスティックウインドウにより結合した並列細線における干渉効果
- 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
- 26a-ZB-10 磁場、非対称構造における量子ポイントコンタクトの伝導特性
- 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)