小野 輝男 | 大阪大院基礎工
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概要
関連著者
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小野 輝男
大阪大院基礎工
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小野 輝男
慶大理工
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小野 輝男
京大化研
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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小林 研介
京大化研
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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千葉 大地
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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知田 健作
京大化研
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西原 禎孝
京大化研
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関口 康爾
京大化研
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仲谷 栄伸
電通大情報
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小山 知弘
京大化研
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好田 誠
東北大通研
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新田 淳作
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所:科学技術振興機構 Crest-jst
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新田 淳作
東北大
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好田 誠
東北大院工:presto Jst
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小山 知弘
京都大学化学研究所
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
Nec
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葛西 伸哉
物質・材料研究機構磁性材料センター
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山内 祥晃
京大化研
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石綿 延行
Necデバプラ研
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深見 俊輔
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大嶋 則和
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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石綿 延行
Nec
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新田 淳作
東北大院工
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平松 亮
京大化研
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石綿 延行
日本電気株式会社
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深見 俊輔
NECA:東北大
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田中 雅章
名工大工
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壬生 攻
名工大工
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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湯浅 新治
産総研
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福島 章雄
産総研
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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上田 浩平
京大化研
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谷川 博信
NECデバプラ研
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橋坂 昌幸
東工大極低温セ:東工大院物性物理
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町田 友樹
東大生産研
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千葉 大地
京都大学化学研究所
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中野 邦裕
京大化研
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葛西 伸哉
物材研
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湯浅 新治
電総研
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壬 生攻
名工大工:crest-jst
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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中野 邦裕
京都大学化学研究所
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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谷川 博信
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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好田 誠
東北大工
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新田 淳作
東北大工
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好田 誠
東北大院工
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村田 敦
名工大工
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鈴木 哲広
Nec
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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深見 俊輔
Nec
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佐藤 知徳
電通大情報工
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近藤 浩太
物材機構
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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谷川 博信
NEC
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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前崎 大輔
名工大工
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近藤 浩太
京都大学化学研究所
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葛西 伸哉
物材機構
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阪野 塁
東大工
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橋坂 昌幸
京大化研
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新庄 輝也
京大化研
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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小林 研介
京都大学化学研究所
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巨海 玄道
九大院理
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大橋 政司
九大院理
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関口 康爾
京都大学化学研究所
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橋坂 昌幸
東工大理工
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藤井 達也
東大物性研
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中村 秀司
京都大学化学研究所
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山内 祥晃
京都大学化学研究所
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知田 健作
京都大学化学研究所
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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東原 周平
九大院理
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藤井 達也
東京大学物性研究所
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佐藤 知徳
電通大情報理工
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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松尾 貞茂
東大院理
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荒川 智紀
京都大学化学研究所
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堀 紫織
名工大工
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深見 俊輔
物材機構
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好田 誠
JST-PRESTO
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松尾 貞茂
京大化研
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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関口 康爾
慶應大理工
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石井 友章
名工大工
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加地 志識
九大院理
著作論文
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-90 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-9 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pHD-3 近藤状態にある量子ドットにおける非平衡電流揺らぎ(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSA-15 トポロジカル絶縁体Bi_2Se_3薄膜における輸送測定(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSA-7 InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-4 InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pRA-5 磁壁電流駆動における閾電流密度に対する外部磁場の影響II(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-4 垂直磁化Co/Ni細線の磁壁電流駆動の温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-31 Co/Ni細線における磁壁内の磁化回転検出の試み(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aRA-7 磁気コア極性反転の制御とメモリ動作(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 垂直磁化Co/Ni細線における電流誘起磁壁移動
- 27aAA-3 磁気コア減衰運動の制御(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aPS-16 原子層制御交互蒸着法で作製したB2およびL2_1型非平衡Co合金薄膜の局所磁性と電気伝導特性(24aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 強磁性遷移金属における磁性の電界制御(最近の研究から)
- 26aPS-14 原子層制御交互蒸着法で作製したCo_2FeGeホイスラー合金薄膜の局所磁性評価とトンネル磁気抵抗効果の測定(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 8pPSA-9 Fe/Cr金属人工格子の高磁場高圧下における電気抵抗の温度変化(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)