町田 友樹 | 東大生産研

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概要

• 同名の論文著者
• 東大生産研の論文著者

関連著者

• 町田 友樹

  東大生産研

• 増渕 覚

  東大生産研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ

• 増渕 覚

  東京大学生産技術研究所

• 浜屋 宏平

  九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構

• 川村 稔

  理研

• 浜屋 宏平

  東大生産研

• 兵屋 宏平

  東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子

• 川村 稔

  理研:jstさきがけ

• 川村 稔

  東大生産研

• 浜屋 宏平

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 山口 健洋

  東大生産研

• 荒井 美穂

  東大生産研

• 高橋 裕之

  東大生産研

• 小野 輝男

  京大化研

• 知田 健作

  京大化研

• 勝本 信吾

  東大物性研

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 橋本 義昭

  東京大学物性研究所

• 小野 雅司

  東京大学生産技術研究所

• 荒川 智紀

  京大化研

• 平川 一彦

  東大生研

• 谷口 尚

  物材機構

• 平川 一彦

  Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構

• 山口 健洋

  東京大学生産技術研究所

• 小野 雅司

  東大生産研

• 中川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 平川 一彦

  東京大

• 大貫 雅広

  東大生産研

• 山内 祥晃

  京大化研

• 小林 研介

  京大化研

• 中村 秀司

  京大化研

• 平川 一彦

  東大生産研

• 渡邊 賢司

  物材機構

• 杉原 加織

  東大生産研

• 平川 一彦

  東京大学生産技術研究所

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 橋坂 昌幸

  東工大極低温セ:東工大院物性物理

• 守谷 頼

  東大生産研

• 柴田 憲治

  東大ナノ量子機構

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 荒川 泰彦

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 荒井 美穂

  東京大学生産技術研究所

• 石田 悟己

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 柴田 憲治

  東大生産研

• 石田 悟己

  東大先端研

• 西原 禎孝

  京大化研

• 小林 研介

  (独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション

• 井口 和之

  東大生産研

• 柴田 憲治

  東京大学生産技術研究所

• 谷山 智康

  東工大応セラ研

• 柴田 憲治

  東大生研

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  武蔵工大総研

• 白木 靖寛

  武蔵工大総研

• 勝本 信吾

  東大物性研:東大ナノ量子機構

• 北畠 未来

  東大生産研

• Jung M.

  東大生産研

• 加藤 建一

  高輝度光科学研究セ

• 荒川 泰彦

  1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 橋坂 昌幸

  東工大理工

• 山下 達也

  東大生産研

• KOBAYASHI Keisuke

  Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8

• 小林 賢介

  高エネ機構物構研CMRC

• 松尾 貞茂

  京大化研

• 小林 研介

  阪大理物

• 井上 義久

  東大生産研

• 橋坂 昌幸

  京大化研

• 加藤 健一

  理研

• 河野 公俊

  理研

• 村木 康二

  NTT物性基礎研

• 小林 賢介

  阪市大院理

• 町田 友樹

  東京大学生産技術研究所

• 小野 輝男

  慶大理工

• 宇佐美 徳隆

  東北大金研

• 石橋 幸治

  理研

• 石橋 幸治

  (独)理化学研究所 石橋極微デバイス工学研究室

• 河野 行雄

  理研:jstさきがけ

• 河野 行雄

  理研

• 増渕 覚

  東大生研

• 町田 友樹

  東大生研

• 浜屋 宏平

  九大シス情報

• Katsumoto Shingo

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation

• 石橋 幸治

  独立行政法人理化学研究所

• 松尾 貞茂

  東大院理

• 河野 公俊

  理研:東工大理

• 樹神 克明

  原子力研究開発機構

• 星 裕介

  東京都市大学工学部

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学

• 田中 崇大

  京大化研

• 増渕 覚

  東大生産研:東大ナノ量子

• 森川 生

  東大生産研

• 白木 靖寛

  東京都市大

• 秦 徳郎

  阪大理物

• 小野 輝男

  大阪大院基礎工

• 千葉 大地

  京大化研

• 大野 圭司

  理研

• 山本 倫久

  東大工:erato-jst

• 金子 雅一

  新潟大

• 佐々木 進

  新潟大工

• 佐藤 真哉

  新潟大自然

• 金子 雅一

  新潟大自然

• 工藤 将倫

  新潟大自然

• 西森 将志

  新潟大院自然

• 工藤 将倫

  新潟大院自然

• 小林 泰子

  東京大学総合文化研究科

• 佐々木 進

  新潟大工:erato-jst

• 小宮山 進

  東大院総合文化

• 坪井 理広

  東大院総合

• 吉田 健治

  東大生産研

• 浜屋 宏平

  東大ナノ量子機構

• 川村 稔

  東大ナノ量子機構

• 山本 倫久

  東大物工

• 白木 靖寛

  東京都市大学

• 五十嵐 悠一

  東大理

• 荒川 泰彦

  東大先端研

• 谷口 尚

  物材研

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構

• 谷口 尚

  (独)物質・材料研究機構ナノスケール物質萌芽ラボ 超高圧グループ

• 濱屋 宏平

  東大生産研

• 西森 将志

  新潟大工

• 五十嵐 悠一

  東京大学理学系研究科

• 山本 倫久

  東京大学工学系研究科

• 大岩 顕

  東京大学工学系研究科

• 樽茶 清悟

  東京大学工学系研究科

• Jung Minkyung

  東京大学生産技術研究所

• 谷口 尚

  NIMS

• 大岩 顕

  東大工:icorp-jst:jst-crest

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 超高圧グループ

• 小林 泰子

  東大院総合文化

• Yamamoto Michihisa

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 坪井 理広

  東大院総合文化

• 増渕 覚

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• Gottwald Daniel

  理研

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 先端材料プロセスユニット 超高圧グループ

• Gottwald Daniel

  理研:konstantz大

• 大貫 雅弘

  東大生産研

• 大野 圭司

  東京大学理学系研究科

• 白木 靖寛

  東京都市大総研

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子:JSTさきがけ

• 町田 友樹

  東大生産研:東大ナノ量子機構

• 渡邊 賢治

  物材機構

• 星 裕介

  東京都市大総研

• 小宮山 進

  東大院総合

• 千葉 大地

  東大物工

• 荒川 智紀

  阪大理物

• 田中 崇大

  阪大理物

• 大野 圭司

  東大理:

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著作論文

• 23aGS-13 NiFe強磁性電極グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン伝導(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pHW-2 グラフェン並列二重量子ドットにおける量子輸送現象(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aGS-13 グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測(21aGS 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aHV-5 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXD-2 量子ホール効果ブレークダウン領域における電流ゆらぎ測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-12 核スピンをプローブとした量子ホール端状態におけるスピン偏極状態の検出(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• ナノスケールグラフェン素子の作製と量子輸送現象
• 28pYH-4 AFMリソグラフィーにより作製したグラフェンナノリボンの量子輸送特性(28pYH グラフェン電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-3 グラフェン二重量子ドットにおけるドット間結合の制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-13 グラフェン量子ホール系における量子輸送現象(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 原子間力顕微鏡によるグラフェンナノ構造の創製と量子輸送現象 (ディラック電子系の固体物理 特集号) -- (グラフェンの物理)
• 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pRA-14 グラフェンにおけるポテンシャル分布イメージング(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aXA-2 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測II(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-12 CdTe基板における核スピンコヒーレント時間(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pYC-7 量子ホール端状態を利用した動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pYC-8 量子ホール系端状態で形成される核スピン偏極の空間分布(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-3 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの観測(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHD-3 グラフェン量子ホール系における非局所抵抗(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHG-13 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-11 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aTL-10 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測(23aTL 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-9 グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 青柳克信,石橋幸治,高柳英明,中ノ勇人,平山祥郎, 基礎からわかるナノデバイス, コロナ社, 東京, 2011, vi+242p, 21×15cm, 本体3,400円, [大学院向], ISBN978-4-339-00823-4
• 26pSA-11 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aSB-9 グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-2 グラフェンナノリボンにおける光応答伝導特性(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-8 量子ホール効果ブレークダウンに伴って発生する1/f雑音の評価(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aEC-7 h-BN上のグラフェンナノリボンの伝導特性(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aEC-11 グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果(18aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-1 Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXQ-5 量子ホール状態にあるコルビノ型円盤における電流雑音測定(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXT-5 グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果(27pXT 領域7,領域4合同シンポジウム:カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aXT-9 高移動度h-BN上グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果(26aXT 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXP-2 グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pPSA-5 コルビノ型円振における量子ホール効果ブレークダウンの発現機構(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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