福島 章雄 | 産総研
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概要
関連著者
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福島 章雄
産総研
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湯浅 新治
産総研
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研
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久保田 均
産業技術総合研究所
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久保田 均
産総研
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鈴木 義茂
電総研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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長濱 太郎
産総研
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長浜 太郎
産総研
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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喜多 英治
筑波大物工
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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柳原 英人
筑波大物工
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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長浜 太郎
京大化研
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
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Tulapurkar A
阪大院基礎工
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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鈴木 義茂
阪大基礎工
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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安藤 功兒
産業技術総合研
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小野 輝男
京大化研
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荒川 智紀
京大化研
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知田 健作
京大化研
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千葉 大地
京大化研
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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西原 禎孝
京大化研
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屋上 公二郎
ソニー(株)SSNCセミコンダクタテクノロジー開発本部
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屋上 公二郎
ソニー
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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白石 誠司
阪大院基礎工
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冨田 博之
阪大院基礎工
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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水口 将輝
阪大院基礎工
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
産総研
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萩原 潤弥
筑波大物工
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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小林 研介
(独) 物質・材料研究機構 共用ビームステーション
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小野 輝男
京都大学化学研究所
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関口 康爾
京大化研
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小林 研介
京大化研
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中村 秀司
京大化研
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升方 康智
阪大院基礎工
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福島 章雄
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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TULAPURKAR A.
産総研
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島田 和明
筑波大物工
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屋上 公二郎
ソニー株式会社
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関 貴之
産業技術総合研究所
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田村 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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田村 英一
産経研
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田村 英一
Jrcat-atp
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野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
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升方 康智
大阪大学基礎工学部
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石橋 翔太
大阪大学基礎工学部
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加藤 健一
理研
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関剛 斎
阪大院基礎工
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和田 朋之
阪大院基礎工
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山根 健量
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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長田 智明
キヤノンアネルバ株式会社
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水口 将輝
阪大基礎工
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久保田 均
産総研エレクトロニクス
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前原 大樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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小林 賢介
阪市大院理
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田中 勝
筑波大物工
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前川 裕昭
阪大院基礎工
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小林 明子
アネルバ株式会社
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長田 智明
アネルバ株式会社
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原市 聡
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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小野 輝男
慶大理工
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豊田 雄太
神戸大工
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豊田 雄太
筑波大物工
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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前川 裕昭
大阪大学大学院基礎工学研究科
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原市 聡
産総研エレ
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太田 健太
阪大院基礎工
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戸田 順之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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斎藤 和広
大阪大学大学院基礎工学研究科
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戸田 順之
阪大院基礎工
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斎藤 和広
阪大院基礎工
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KOBAYASHI Keisuke
Japan Synchrotron Radiation Research Institute/SPring-8
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黒崎 義成
産総研エレクトロニクス
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加藤 建一
高輝度光科学研究セ
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黒崎 義成
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門:筑波大学数理物質科学研究科
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小林 賢介
高エネ機構物構研CMRC
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樹神 克明
原子力研究開発機構
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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安藤 康夫
東北大工
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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新庄 輝也
阪大院基礎工
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TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
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DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
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和田 朋之
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山根 健量
大阪大学大学院基礎工学研究科
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関 剛斎
大阪大学大学院基礎工学研究科
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野崎 隆行
大阪大学大学院基礎工学研究科
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久保田 均
産業技街総合研究所
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福島 章雄
産業技街総合研究所
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湯浅 新治
産業技街総合研究所
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ディアック アリーナ
阪大基礎工
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
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長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
東北大工
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宮越 健史
東北大学大学院
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宮崎 照宜
東北大学大学院
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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大石 恵
阪大基礎工
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関口 康爾
京都大学化学研究所
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片山 利一
産総研
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大石 恵
阪大院基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
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安藤 功兒
産総研
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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山本 淳
産業技術総合研究所
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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新庄 輝也
京大 化研
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝
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宮崎 照宣
東北大工
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與田 博明
東芝研究開発センター
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野崎 隆行
阪大基礎工
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長浜 太郎
産総研エレクトロニクス
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鈴木 義茂
産総研エレクトロニクス
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薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
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安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
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三輪 真嗣
阪大院基礎工
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柳原 英人
筑波大数理物質
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喜多 英治
筑波大数理物質
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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宮崎 照宣
東北大 原子分子材料科学高等研究機構
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Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
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宮崎 照宣
東北大・工
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湯浅 新治
京大化研
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山本 淳
産業技術総合研
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田村 英一
産総研
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屋上 公二郎
SONY
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安藤 功兒
(独)産業技術総合研究所
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Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Chappert C
パリ南大学
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Devolder T
パリ南大学
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
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TULAPURKAR Ashwin
AIST
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鈴木 義茂
産経研
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Tulapurkar A
産経研
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福島 章雄
産経研
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TULAPURKAR A.
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
-
福島 章雄
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
吉川 将寿
東芝研究開発センター
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北川 英二
東芝研究開発センター
-
長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
-
大坊 忠臣
東芝研究開発センター
-
長嶺 真
東芝研究開発センター
-
下村 尚治
東芝研究開発センター
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
Miyazaki T
Faculty Of Engineering Kanazawa University
-
松尾 貞茂
東大院理
-
島田 和明
筑波大数理
-
安東 健
阪大基礎工
-
石橋 翔太
阪大基礎工
-
三輪 真嗣
阪大基礎工
-
関 貴之
産総研ナノスピントロニクス研究センター
-
久保田 均
産総研ナノスピントロニクス研究センター
-
福島 章雄
産総研ナノスピントロニクス研究センター
-
湯浅 新治
産総研ナノスピントロニクス研究センター
著作論文
- 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- スピン注入磁化反転素子の高周波特性
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-8 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJの作製(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-76 スピネルフェライトFe_O_4を用いたMTJの作製(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- 19aYB-1 エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/bcc-Co(001)磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 18aPS-7 γ-Fe_2O_3障壁層をもつスピンフィルター型磁気トンネル接合の作製(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-3 マグヘマイト障壁層をもつスピンフィルタ型MTJの作製(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
- MgO(001)単結晶トンネル障壁層の作製
- 超薄Fe(100)強磁性電極によるトンネル磁気抵抗効果の増大
- トンネルバリアがある場合のスピン注入磁化反転の理論
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- スピントランスファーCPP-GMR素子における電流注入冷却効果
- スピン注入磁化反転における熱的影響を排除した臨界電流の評価
- 27pXJ-2 スピン注入磁化反転 : 低電流化と短パルス応答(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- スピン注入磁化反転の理論と実験
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
- 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-16 TiN/Fe_3O_4/Fe3層構造のCPP配置におけるトンネル型磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-2 スピントルクダイオード測定によるスピントルクの温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- ナノ磁性体の強磁性共鳴 ((公社)日本磁気学会 第183回研究会 第39回スピンエレクトロニクス専門研究会 磁化のダイナミクスと磁気緩和の物理)
- 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発
- ナノ磁性体の強磁性共鳴
- 27aXA-9 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音の膜厚依存性(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aXA-8 トンネル磁気抵抗素子における磁化ゆらぎに伴う低周波雑音(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))