ジャヤプラウィラ ダビッドd. | キャノンアネルバ
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概要
関連著者
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
湯浅 新治
産総研
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
-
福島 章雄
産総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所
-
久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
久保田 均
産業技術総合研
-
久保田 均
産総研
-
渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
鈴木 義茂
電総研
-
湯浅 新治
電総研
-
鈴木 義茂
大阪大 大学院
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ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
-
永峰 佳紀
キャノンアネルバ
-
長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
-
恒川 孝二
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
渡辺 直樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
小須田 求
キヤノンアネルバ株式会社
-
安藤 功兒
産業技術総合研究所
-
長井 基将
アネルバ株式会社
-
水口 将輝
東北大金研
-
水口 将輝
東北大学金属材料研究所
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 義茂
阪大院基礎工
-
永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
-
福島 章雄
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
小須田 求
アネルバ株式会社
-
安藤 功兒
産業技術総合研
-
白石 誠司
阪大院基礎工
-
関剛 斎
阪大院基礎工
-
和田 朋之
阪大院基礎工
-
山根 健量
阪大院基礎工
-
鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
鈴木 義茂
阪大基礎工
-
水口 将輝
阪大基礎工
-
大谷 裕一
産業技術総合研究所
-
水口 将輝
阪大院基礎工
-
ジャヤプラウィラ D.
アネルバ株式会社エレクトロンデバイス装置事業部
-
野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
-
白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
ジャヤプラウィラ D.
東北大学大学院工学研究科電子工学
-
Tulapurkar A
阪大院基礎工
-
湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
小出 常晴
高エ研PF
-
角田 乃亜
東邦大理
-
片山 利一
東邦大理
-
三代川 廣野
東邦大理
-
浅野 裕司
東邦大理
-
江村 藍
東邦大理
-
小出 常晴
高エネ研
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野崎 隆行
阪大院基礎工
-
新庄 輝也
阪大院基礎工
-
冨田 博之
阪大院基礎工
-
升方 康智
阪大院基礎工
-
TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
-
DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
-
和田 朋之
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山根 健量
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
関 剛斎
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野崎 隆行
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
久保田 均
産業技街総合研究所
-
福島 章雄
産業技街総合研究所
-
湯浅 新治
産業技街総合研究所
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長田 智明
キヤノンアネルバ株式会社
-
小平 吉三
キヤノンアネルバ株式会社
-
ディアック アリーナ
阪大基礎工
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久保田 均
産総研エレクトロニクス
-
福島 章雄
産総研エレクトロニクス
-
湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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花島 幸司
東邦大理
-
齋藤 敏明
東邦大理
-
前原 大樹
キヤノン-アネルバ
-
恒川 孝二
キヤノン-アネルバ
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Djayaprawira David
キヤノン-アネルバ
-
渡辺 直樹
キヤノン-アネルバ
-
間宮 一敏
高エネ研
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岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
-
TULAPURKAR A.
産総研
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
DJAYAPRAWIRA David
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
前原 大樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
-
ジャヤプラウィラ ダビッドD.
アネルバ株式会社
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小須田 求
キヤノンアネルバ
-
大石 恵
阪大基礎工
-
湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ
-
DJAYAPRAWIRA D.
Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation
-
大石 恵
阪大院基礎工
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
-
安藤 功兒
産総研
-
鈴木 義茂
産総研
-
小出 常晴
高エネルギー物理学研究所放射光実験施設
-
小出 常晴
高エネルギー物理学研究所
-
間宮 一敏
原子力機構放射光
-
片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
江村 藍
東邦大・理
-
斉藤 敏明
東邦大理
-
花島 幸司
東邦大・理
-
新庄 輝也
京大 化研
-
鈴木 義茂
大阪大学基礎工
-
Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
-
齋藤 敏明
東邦大・理
-
Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
-
薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
-
升方 康智
大阪大学基礎工学部
-
冨田 博之
大阪大学基礎工学部
-
湯浅 新治
産総研エレ
-
湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
-
Djayaprawira David
Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation
-
SHINJO Teruya
Institute for Chemical Research, Kyoto University
-
福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
-
Djayaprawira David
Electron Device Division, ANELVA Corp., 5-8-1 Yotsuya, Fuchu-shi, Tokyo 183-8508, Japan
-
鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
-
鈴木 義茂
大阪大学
著作論文
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- 半導体製造ラインにおける磁気トンネル接合の成膜と微細加工プロセス
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- スピン注入磁化反転素子の高周波特性
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
- 高性能トンネル磁気抵抗効果TMR膜を形成するためのスパッタ成膜技術(「磁性薄膜作製技術」)
- GMR/TMR膜作製における膜表面処理技術
- プラズマトリートメントによるTMR多層膜のH_低減
- IrMnベーススピンバルブ膜におけるNiFeCr下地層の効果
- MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- MgO障壁層を用いたトンネル磁気抵抗素子の開発