MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
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概要
著者
-
湯浅 新治
産総研
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
永峰 佳紀
キャノンアネルバ
-
恒川 孝二
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
-
恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
-
湯浅 新治
電総研
-
湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ
-
DJAYAPRAWIRA D.
Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation
-
ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
-
湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
湯浅 新治
(独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
-
Djayaprawira David
Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation
-
Djayaprawira David
Electron Device Division, ANELVA Corp., 5-8-1 Yotsuya, Fuchu-shi, Tokyo 183-8508, Japan
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