Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
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概要
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We investigated spin-transfer switching (STS) in PtMn/Co_<90>Fe_<10>/Ru/Co_<90>Fe_<10>/Cu/Free (Free=Co_<90>Fe_<10> and Co_<60>Fe_<20>B_<20>) current-perpendicular-to-plane (CPP) giant magnetoresistive (GMR) devices. Switching behavior was deeply related to the magnetization process of the free layers. Samples with Co_<90>Fe_<10> free layers whose cell size was 80 nm×180 nm showed sharp resistance switching due to STS. The average switching-current density (J_c) of the samples was in the range of 4.0×10^7 A/cm^2 to 7.8×10^7 A/cm^2. The dependence of J_c on the coercivity (H_c) was explained by thermally activated STS model.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2006-03-01
著者
-
湯浅 新治
産総研
-
福島 章雄
産総研
-
前原 大樹
キャノンアネルバ
-
前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
久保田 均
産業技術総合研究所
-
福島 章雄
産業技術総合研究所
-
大谷 裕一
産業技術総合研究所
-
湯浅 新治
産業技術総合研究所
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所
-
鈴木 義茂
電総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
久保田 均
産業技術総合研
-
鈴木 義茂
大阪大 大学院
-
前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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