久保田 均 | 産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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概要
関連著者
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湯浅 新治
産総研
-
久保田 均
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
久保田 均
産業技術総合研究所
-
久保田 均
産業技術総合研
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久保田 均
産総研
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福島 章雄
産総研
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湯浅 新治
電総研
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湯浅 新治
慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所
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鈴木 義茂
電総研
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鈴木 義茂
大阪大 大学院
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前原 大樹
キャノンアネルバ
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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前原 大樹
キヤノンアネルバ株式会社
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安藤 功兒
産業技術総合研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
-
ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キヤノンアネルバ株式会社
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
渡辺 直樹
キヤノンアネルバ株式会社
-
鈴木 義茂
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
ジャヤプラウィラ ダビッド
キヤノンアネルバ株式会社
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薬師寺 啓
産業技術総合研究所
-
薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
安藤 功兒
産業技術総合研
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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永峰 佳紀
キャノンアネルバ
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水口 将輝
東北大金研
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水口 将輝
東北大学金属材料研究所
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鈴木 義茂
阪大院基礎工
-
鈴木 義茂
阪大基礎工
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大谷 裕一
産業技術総合研究所
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鈴木 義茂
産業技術総合研究所
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野崎 隆行
阪大院基礎工:jstさきがけ
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鈴木 義茂
大阪大学基礎工
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関 貴之
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
白石 誠司
阪大院基礎工
-
関剛 斎
阪大院基礎工
-
和田 朋之
阪大院基礎工
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冨田 博之
阪大院基礎工
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山根 健量
阪大院基礎工
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升方 康智
阪大院基礎工
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鈴木 義茂
大阪大学大学院基礎工学研究科
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永峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
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水口 将輝
阪大基礎工
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久保田 均
産総研エレクトロニクス
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福島 章雄
産総研エレクトロニクス
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湯浅 新治
産総研エレクトロニクス
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水口 将輝
阪大院基礎工
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白石 誠司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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関 貴之
産業技術総合研究所
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Tulapurkar A
阪大院基礎工
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升方 康智
大阪大学基礎工学部
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冨田 博之
大阪大学基礎工学部
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湯浅 新治
産総研エレ
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野崎 隆行
阪大院基礎工
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新庄 輝也
阪大院基礎工
-
TULAPURKAR A.
阪大院基礎工
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DJAYAPRAWIRA D.
キャノンアネルバ
-
和田 朋之
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山根 健量
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
関 剛斎
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
野崎 隆行
大阪大学大学院基礎工学研究科
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久保田 均
産業技街総合研究所
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福島 章雄
産業技街総合研究所
-
湯浅 新治
産業技街総合研究所
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ディアック アリーナ
阪大基礎工
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長峰 佳紀
キヤノンアネルバ株式会社
-
岡田 英里子
キヤノンアネルバ株式会社
-
長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
-
TULAPURKAR A.
産総研
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
久保田 均
独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門
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長浜 太郎
産業技術総合研究所
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大石 恵
阪大基礎工
-
長濱 太郎
産総研
-
大石 恵
阪大院基礎工
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キヤノンアネルバ
-
安藤 功兒
産総研
-
鈴木 義茂
産総研
-
長浜 太郎
産総研
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山本 淳
産業技術総合研究所
-
片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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新庄 輝也
京大 化研
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薬師寺 啓
産総研エレクトロニクス
-
安藤 功兒
産総研エレクトロニクス
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Shinjo Teruya
Chemical Research Institute Kyoto University
-
山本 淳
産業技術総合研
-
長浜 太郎
京大化研
-
長浜 太郎
産総研エレクトロニクス部門
-
Shibuya T
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
-
Shigematsu Toshihiko
Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University
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安藤 功兒
独立行政法人産業技術総合研究所
-
福島 章雄
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
-
野崎 隆行
大阪大学基礎工学研究科
-
石橋 翔太
大阪大学基礎工学部
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前原 大樹
産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター
-
SHINJO Teruya
Institute for Chemical Research, Kyoto University
-
鈴木 義茂
大阪大学:産総研:CREST-JST
-
長浜 太郎
Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University
-
鈴木 義茂
大阪大学
著作論文
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- スピン注入磁化反転素子の高周波特性
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
- スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
- 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
- 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
- スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
- 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
- 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
- スピンエレクトロニクス研究を応用した素子の開発 (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
- スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
- MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)