前原 大樹 | キャノンアネルバ

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概要

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関連著者

• 前原 大樹

  キャノンアネルバ

• 前原 大樹

  産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 湯浅 新治

  産総研

• 福島 章雄

  産総研

• 恒川 孝二

  キャノンアネルバ

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  アネルバ株式会社

• 鈴木 義茂

  電総研

• ジャヤプラウィラ ダビッドd.

  キャノンアネルバ

• 鈴木 義茂

  大阪大 大学院

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  キャノンアネルバ

• 久保田 均

  産業技術総合研

• 前原 大樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• 久保田 均

  産業技術総合研究所

• 渡辺 直樹

  キャノンアネルバ

• 久保田 均

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 久保田 均

  産総研

• 恒川 孝二

  キヤノンアネルバ株式会社

• 湯浅 新治

  電総研

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所

• 湯浅 新治

  慶應義塾大学理工学部:電子技術総合研究所

• 渡辺 直樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• ジャヤプラウィラ ダビッド

  キヤノンアネルバ株式会社

• 湯浅 新治

  産業技術総合研究所

• 永峰 佳紀

  キャノンアネルバ

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 水口 将輝

  東北大金研

• 水口 将輝

  東北大学金属材料研究所

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工:jstさきがけ

• 鈴木 義茂

  阪大院基礎工

• 安藤 功兒

  産業技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  大阪大学基礎工

• 湯浅 新治

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 升方 康智

  大阪大学基礎工学部

• 冨田 博之

  大阪大学基礎工学部

• 久保田 均

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 白石 誠司

  阪大院基礎工

• 冨田 博之

  阪大院基礎工

• 升方 康智

  阪大院基礎工

• 永峰 佳紀

  キヤノンアネルバ株式会社

• 長田 智明

  キヤノンアネルバ株式会社

• 大谷 裕一

  産業技術総合研究所

• 水口 将輝

  阪大院基礎工

• 前原 大樹

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 白石 誠司

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 関 貴之

  産業技術総合研究所

• 野崎 隆行

  大阪大学基礎工学研究科

• 石橋 翔太

  大阪大学基礎工学部

• 安藤 功兒

  産業技術総合研

• 前原 大樹

  産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター

• 福島 章雄

  AISTナノスピントロニクス研究センター

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工

• 新庄 輝也

  阪大院基礎工

• 関剛 斎

  阪大院基礎工

• 和田 朋之

  阪大院基礎工

• 山根 健量

  阪大院基礎工

• 鈴木 義茂

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 鈴木 義茂

  阪大基礎工

• 水口 将輝

  阪大基礎工

• 長浜 太郎

  産業技術総合研究所

• 長濱 太郎

  産総研

• 小林 明子

  アネルバ株式会社

• 長田 智明

  アネルバ株式会社

• 原市 聡

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 長浜 太郎

  産総研

• 新庄 輝也

  京大 化研

• 原市 聡

  産総研エレ

• Shinjo Teruya

  Chemical Research Institute Kyoto University

• Shibuya T

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Tulapurkar A

  阪大院基礎工

• Shigematsu Toshihiko

  Institute For Chemical Research Kyoto University:(present Address)konan University

• 関 貴之

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 原市 聡

  産業技術総合研究所 電子光技術研究部門

• 新庄 輝也

  国際高等研

• 小出 常晴

  高エ研PF

• 角田 乃亜

  東邦大理

• 片山 利一

  東邦大理

• 三代川 廣野

  東邦大理

• 浅野 裕司

  東邦大理

• 江村 藍

  東邦大理

• 小出 常晴

  高エネ研

• TULAPURKAR A.

  阪大院基礎工

• DJAYAPRAWIRA D.

  キャノンアネルバ

• 和田 朋之

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 山根 健量

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 関 剛斎

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 野崎 隆行

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 久保田 均

  産業技街総合研究所

• 福島 章雄

  産業技街総合研究所

• 湯浅 新治

  産業技街総合研究所

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ株式会社

• 小平 吉三

  キヤノンアネルバ株式会社

• ディアック アリーナ

  阪大基礎工

• 久保田 均

  産総研エレクトロニクス

• 福島 章雄

  産総研エレクトロニクス

• 湯浅 新治

  産総研エレクトロニクス

• 薬師寺 啓

  産業技術総合研究所

• 長峰 佳紀

  キヤノンアネルバ株式会社

• 花島 幸司

  東邦大理

• 齋藤 敏明

  東邦大理

• 前原 大樹

  キヤノン-アネルバ

• 恒川 孝二

  キヤノン-アネルバ

• Djayaprawira David

  キヤノン-アネルバ

• 渡辺 直樹

  キヤノン-アネルバ

• 間宮 一敏

  高エネ研

• 岡田 英里子

  キヤノンアネルバ株式会社

• 長井 基将

  キヤノンアネルバ株式会社

• TULAPURKAR A.

  産総研

• 湯浅 新治

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 安藤 功兒

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• DJAYAPRAWIRA David

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 恒川 孝二

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 渡辺 直樹

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ

• 大石 恵

  阪大基礎工

• 湯浅 新治

  (独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ

• DJAYAPRAWIRA D.

  Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation

• 前川 裕昭

  阪大院基礎工

• 葛西 伸哉

  京大院化研

• 小野 輝男

  京大院化研

• 大石 恵

  阪大院基礎工

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  キヤノンアネルバ

• 安藤 功兒

  産総研

• 鈴木 義茂

  産総研

• 小出 常晴

  高エネルギー物理学研究所放射光実験施設

• 小出 常晴

  高エネルギー物理学研究所

• 間宮 一敏

  原子力機構放射光

• 片山 利一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 江村 藍

  東邦大・理

• 斉藤 敏明

  東邦大理

• 前川 裕昭

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 花島 幸司

  東邦大・理

• 齋藤 敏明

  東邦大・理

• 長浜 太郎

  京大化研

• 長浜 太郎

  産総研エレクトロニクス部門

• 薬師寺 啓

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター

• 安藤 功兒

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 湯浅 新治

  産総研エレ

• 湯浅 新治

  (独)産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター

• Djayaprawira David

  Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation

• SHINJO Teruya

  Institute for Chemical Research, Kyoto University

• Djayaprawira David

  Electron Device Division, ANELVA Corp., 5-8-1 Yotsuya, Fuchu-shi, Tokyo 183-8508, Japan

• 鈴木 義茂

  大阪大学:産総研:CREST-JST

• 長浜 太郎

  Division of Materials Chemistry, Faculty of Engineering, Hokkaido University

• 鈴木 義茂

  大阪大学

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著作論文

• MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
• 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
• 半導体製造ラインにおける磁気トンネル接合の成膜と微細加工プロセス
• スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
• MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
• 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
• スピン注入磁化反転素子の高周波特性
• MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
• 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
• CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合を用いた超低抵抗TMR素子の開発
• MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
• 19aZC-6 スピントルクダイオード効果を用いた電流駆動磁壁共鳴現象の観測(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• スピトルクダイオードと負性抵抗効果
• Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
• MgO障壁層を用いたトンネル磁気抵抗素子の開発
• CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
• CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて

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