恒川 孝二 | アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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概要
関連著者
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恒川 孝二
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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東北大学大学院工学研究科電子工学
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独立行政法人産業技術総合研究所
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前原 大樹
産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
著作論文
- 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
- 高性能トンネル磁気抵抗効果TMR膜を形成するためのスパッタ成膜技術(「磁性薄膜作製技術」)
- GMR/TMR膜作製における膜表面処理技術
- プラズマトリートメントによるTMR多層膜のH_低減
- IrMnベーススピンバルブ膜におけるNiFeCr下地層の効果
- NiFe/Cu人工格子膜のGMR効果に及ぼす成膜前H_2O分圧の影響
- UHV-低圧スパッタ法によるNiFe/Cu人工格子のGMR