ジャヤプラウィラ D. | 東北大学大学院工学研究科電子工学
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概要
関連著者
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ジャヤプラウィラ D.
東北大学大学院工学研究科電子工学
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高橋 研
東北大学大学院工学研究科
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高橋 研
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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ジャヤプラウィラ D.
東北大学 工学部 電子工学科
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ジャヤプラウィラ D.
東北大学
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ジャヤプラウィラ D.
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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高橋 研
東北大
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吉村 哲
東北大学大学院工学研究科
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三上 正樹
東北大学大学院工学研究科電子工学
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Djayaprawira David
東北大学大学院工学研究科電子工学
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Djayaprawira D
東北大学大学院工学研究科電子工学
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三上 正樹
東北大
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土門 宏紀
東北大
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荘司 弘樹
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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庄司 弘樹
三菱総合研 先端科研
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高橋 研
東北大学大学院 工学研究科電子工学専攻
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荘司 弘樹
東北大・工
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小宮山 和弥
富士電機株式会社
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荘司 弘樹
東北大
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角田 匡清
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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ジャヤデワン B.
東北大・環境科学
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堀井 明
アネルバ(株)mmd装置事業部プロセス技術部
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チナサミー C.
東北大院環境
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篠田 弘造
東北大・環境
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高橋 研
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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角田 匡清
東北大 大学院工学研究科
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角田 匡清
東北大学大学院 工学研究科
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田路 和幸
東北大学大学院環境科学研究科
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堀井 明
東北大分子病理
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渡辺 直樹
キャノンアネルバ
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恒川 孝二
キャノンアネルバ
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長井 基将
キヤノンアネルバ株式会社
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恒川 孝二
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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渡辺 直樹
アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部
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長井 基将
アネルバ株式会社
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ダビッド ジャヤプラウィラ
アネルバ株式会社
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ジャヤプラウィラ D.
アネルバ株式会社エレクトロンデバイス装置事業部
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高桑 雄二
東北大科研
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高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
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ダビッド ジャヤプラウィラ
キャノンアネルバ
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ジャヤプラウィラ ダビッドd.
キャノンアネルバ
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浦川 潔
東北大学大学院環境科学研究科
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浦川 潔
東北大・環境
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高桑 雄二
東北大
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篠田 弘造
東北大学大学院環境科学研究科
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保々 旭
東北大
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土門 宏紀
東北大学
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チナサミー C.
東北大学大学院環境科学研究科
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ジャヤデワン B.
東北大学大学院環境科学研究科
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保々 旭
東北大学大学院工学研究科
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遠藤 徹哉
アネルバ(株)
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古川 真司
アネルバ(株)
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田路 和幸
東北大学大学院 環境科学研究科
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堀井 明
東北大 大学院
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高橋 研
東北大学
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篠田 弘造
東北大学大学院工学研究科地球工学科
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斉藤 伸
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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小須田 求
キヤノンアネルバ株式会社
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小須田 求
アネルバ株式会社
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成重 真治
(株)日立製作所ストレージ事業部
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YU A.
ソニー(株)RMカンパニー
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長谷川 大二
東北大院工
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水野 幹久
ソニー株式会社
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佐々木 勇一
ソニー株式会社
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大野 玲
三菱化学株式会社
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篠田 弘造
東北大学 多元物質科学研究所
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井上 誠
ソニー株式会社
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YU A.
ソニー株式会社
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近藤 洋文
ソニー株式会社
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太田 一平
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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田路 和幸
東北大学 大学院 環境科学研究科
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近藤 洋文
ソニー
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高橋 研
東北大学未来共同科学研究センター
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長谷川 大二
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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樋之津 崇
東北大
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ジャヤプラウィラ D.D.
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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井上 誠
ソニー(株)
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吉村 哲
日本学術振興会
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斉藤 伸
東北大・工
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片岡 宏之
日立
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松田 好文
(株)日立製作所・中央研究所
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松田 好文
日立ストレージシステム事業部
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屋久 四男
日立ストレージ システム事業部
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片山 慎也
三菱化学株式会社
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片岡 宏之
日立ストレージシステム事業部
-
成重 真治
日立ストレージシステム事業部
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門脇 静穂
東北大学工学研究科電子工学専攻
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樋之津 崇
東北大学 大学院 環境科学研究科
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ジャヤデワン B.
東北大学 大学院 環境科学研究科
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チナサミー C.
東北大学 大学院 環境科学研究科
-
Djayaprawira D.
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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二上 正樹
コマグ(株)技術開発統括部
-
屋久 四男
日立ストレージシステム事業部
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ジャヤプラウィラ D.
日立ストレージシステム事業部
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小島 修一
日立ストレージシステム事業部
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成重 眞治
Data Storage & System Div. Hitachi Ltd.
-
三上 正樹
旭コマグ(株)
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コング T.
東北大
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門脇 静穂
東北大 工
-
門脇 静穂
東北大
著作論文
- プラズマトリートメントによるTMR多層膜のH_低減
- IrMnベーススピンバルブ膜におけるNiFeCr下地層の効果
- FePtナノ粒子単層膜の構造と磁気特性
- Co基垂直薄膜媒体のコラム状晶内結晶磁気異方性 : 垂直トルクの膜厚依存性の解析
- 極薄WCrシードへの酸素暴露による薄膜媒体の結晶粒制御(WCrシードの初期成長核作用増大による粒径微細化の促進)
- 薄膜磁気記録媒体における諸特性の極薄Cr基シード層組成依存性 : Cr基シード層の成長様式及び融点・酸素親和性と媒体の微細構造との関係(磁気記録媒体)
- 極薄Cr基シード層への酸素暴露による薄膜媒体の結晶粒制御 : 極薄Cr基シードの酸素親和性と粒径微細化効果との関係
- 薄膜媒体における諸特性の極薄Cr基シード層組成依存性 : 極薄Cr基シードの融点及び成長様式と媒体の微細構造との関係
- AFC媒体におけるRuスペーサ層への酸素添加による交換磁界の増大
- NiFeCrシード層がCo/Pd多層膜の結晶成長と磁気特性に与える影響
- 相分離型Pd-X下地によるCo/Pd多層膜の磁気的相互作用低減の検討
- ポリオールプロセスによるCoPtRuナノ磁性粒子の合成
- ポリオールプロセスによるfct-FePtの直接合成(その2)
- ポリオールプロセスによるfct-FePtナノ粒子の直接合成(その1)
- 相分離型Pd-SiO下地によるCoB/Pd多層膜垂直媒体の磁気的相互作用の低減
- ポストアニールしたCoCrGePt薄膜媒体におけるCrMnの拡散効果
- 薄膜媒体の微細組織におけるWCrシード層組成依存性
- 基板表面への酸素暴露によるWCrシード層の微細構造制御
- 高Pt濃度CoCrPtB薄膜媒体における高保磁力化に関する検討
- スパッタリングプロセス中の不純物制御による機能性磁性薄膜の微細組織制御
- 極薄高融点WCrシード層による薄膜磁気記録媒体の結晶粒微細化 : 高H^_k媒体における低ノイズ化
- 薄膜記録媒体の保磁力の温度依存性
- 新規なシード層による薄膜媒体の結晶粒制御 : 極薄島状高融点シード層による結晶粒径の微細化
- 新規なスパッタプロセスによる薄膜媒体の結晶粒制御 : 酸素暴露及びCo共析NiP/Al基板による結晶粒径の微細化
- CoCrPt薄膜磁気記録媒体へのTaとBの添加効果
- 薄膜磁気記録媒体用Co基合金の結晶磁気異方性