湯浅 新治 | 産総研

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概要

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• 産総研の論文著者

関連著者

• 湯浅 新治

  産総研

• 福島 章雄

  産総研

• 鈴木 義茂

  電総研

• 湯浅 新治

  電総研

• 長浜 太郎

  産総研

• 長濱 太郎

  産総研

• 久保田 均

  産総研

• 久保田 均

  産業技術総合研究所

• 湯浅 新治

  産業技術総合研究所

• 久保田 均

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 福島 章雄

  産業技術総合研究所

• 片山 利一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 前原 大樹

  キャノンアネルバ

• 鈴木 義茂

  阪大基礎工

• 恒川 孝二

  キャノンアネルバ

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  アネルバ株式会社

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  キャノンアネルバ

• ジャヤプラウィラ ダビッドd.

  キャノンアネルバ

• 鈴木 義茂

  阪大院基礎工

• 渡辺 直樹

  キャノンアネルバ

• 前原 大樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• 湯浅 新治

  産総研エレクトロニクス

• 安藤 功兒

  産業技術総合研究所

• 斉藤 敏明

  東邦大理

• 小野 輝男

  京大化研

• 喜多 英治

  筑波大物工

• 小出 常晴

  高エ研PF

• 小出 常晴

  高エネ研

• 恒川 孝二

  キヤノンアネルバ株式会社

• 柳原 英人

  筑波大物工

• 鈴木 義茂

  産総研

• 小出 常晴

  高エネルギー物理学研究所放射光実験施設

• 小出 常晴

  高エネルギー物理学研究所

• 水口 将輝

  東北大金研

• 水口 将輝

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 義茂

  大阪大学基礎工

• 三代川 廣野

  東邦大理

• 渡辺 直樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• 薬師寺 啓

  産業技術総合研究所

• 鈴木 義茂

  産業技術総合研究所

• 長浜 太郎

  産業技術総合研究所

• 片山 利一

  東邦大理

• ジャヤプラウィラ ダビッド

  キヤノンアネルバ株式会社

• 間宮 一敏

  高エネ研

• 片山 利一

  産総研

• 間宮 一敏

  原子力機構放射光

• 小野 輝男

  京都大学化学研究所

• 荒川 智紀

  京大化研

• 知田 健作

  京大化研

• 千葉 大地

  京大化研

• 永峰 佳紀

  キャノンアネルバ

• 水口 将輝

  阪大院基礎工

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工:jstさきがけ

• 花島 幸司

  東邦大・理

• 斉藤 真司

  分子研

• 角田 乃亜

  東邦大理

• 齊藤 敏明

  東邦大理

• 白石 誠司

  阪大院基礎工

• 冨田 博之

  阪大院基礎工

• 鈴木 義茂

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 萩原 潤弥

  筑波大物工

• 三代川 廣野

  東邦大学理学部

• 山口 明啓

  慶大理工:jstさきがけ

• 白石 誠司

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 関口 康爾

  京大化研

• 小林 研介

  京大化研

• 中村 秀司

  京大化研

• 浅野 裕司

  東邦大理

• 升方 康智

  阪大院基礎工

• 永峰 佳紀

  キヤノンアネルバ株式会社

• 水口 将輝

  阪大基礎工

• 福島 章雄

  産総研エレクトロニクス

• 大谷 裕一

  産業技術総合研究所

• 花島 幸司

  東邦大理

• 設楽 哲夫

  高エ研PF

• 島田 和明

  筑波大物工

• 戸叶 洋之

  筑波大物工

• 設楽 哲夫

  KEK-PF

• 小野 輝男

  慶大理工

• 豊田 雄太

  神戸大工

• 豊田 雄太

  筑波大物工

• 神野 友之

  東邦大学理学部

• 齋藤 真司

  東邦大学理学部

• 加藤 健一

  理研

• 真中 浩貴

  鹿児島大院理工

• 江村 藍

  東邦大理

• 関剛 斎

  阪大院基礎工

• 和田 朋之

  阪大院基礎工

• 山根 健量

  阪大院基礎工

• 久保田 均

  産総研エレクトロニクス

• TULAPURKAR A.

  産総研

• 湯浅 新治

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 安藤 功兒

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小林 賢介

  阪市大院理

• 田中 勝

  筑波大物工

• 前川 裕昭

  阪大院基礎工

• 設楽 哲夫

  高エネ研PF

• 小出 常晴

  高エネ研PF

• 田村 英一

  JRCAT融合研

• 遠藤 学

  東邦大学理学部

• 山口 明啓

  慶大理工

• 宮島 英紀

  慶大理工

• 江村 藍

  東邦大・理

• 前川 裕昭

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 神野 友之

  東邦大

• 齊藤 敏明

  東邦大学理学部

• 花島 幸司

  東邦大学

• 片山 利一

  東邦大学

• 黒崎 義成

  東邦大学

• 小林 希衣

  東邦大学

• 宮島 英紀

  慶應義塾大学理工学部物理学科

• 山口 明啓

  京大化研

• 太田 健太

  阪大院基礎工

• 戸田 順之

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 斎藤 和広

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 戸田 順之

  阪大院基礎工

• 藤森 淳

  東大理

• 朝倉 大輔

  産総研

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 大兼 幹彦

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 宮崎 照宣

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)

• 仲谷 栄伸

  電通大情報

• 安藤 康夫

  東北大工

• 松岡 七絵

  東邦大理

• 朝倉 大輔

  高エネ研

• 小出 常晴

  高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所

• 野崎 隆行

  阪大院基礎工

• 新庄 輝也

  阪大院基礎工

• 川上 隆輝

  日大理工

• TULAPURKAR A.

  阪大院基礎工

• DJAYAPRAWIRA D.

  キャノンアネルバ

• 和田 朋之

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 山根 健量

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 関 剛斎

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 野崎 隆行

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 久保田 均

  産業技街総合研究所

• 福島 章雄

  産業技街総合研究所

• 湯浅 新治

  産業技街総合研究所

• ディアック アリーナ

  阪大基礎工

• 長峰 佳紀

  キヤノンアネルバ株式会社

• 齋藤 敏明

  東邦大理

• 前原 大樹

  キヤノン-アネルバ

• 恒川 孝二

  キヤノン-アネルバ

• Djayaprawira David

  キヤノン-アネルバ

• 渡辺 直樹

  キヤノン-アネルバ

• 岡田 英里子

  キヤノンアネルバ株式会社

• 長井 基将

  キヤノンアネルバ株式会社

• DJAYAPRAWIRA David

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 恒川 孝二

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 前原 大樹

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 渡辺 直樹

  アネルバ株式会社エレクトロデバイス装置事業部

• 久保田 均

  独立行政法人産業技術総合研究所,エレクトロニクス研究部門

• 大坊 忠臣

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 大坊 忠臣

  東北大工

• 宮越 健史

  東北大学大学院

• 宮崎 照宜

  東北大学大学院

• 吉川 将寿

  (株)東芝 研究開発センター

• 長船 義敬

  東大理

• 大石 恵

  阪大基礎工

• 関口 康爾

  京都大学化学研究所

• 間宮 一敏

  高工研

• 小出 常時

  高工研

• 石田 行幸

  東大理

• 真中 浩貴

  高エ研PF

• 湯浅 新治

  (独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ

• DJAYAPRAWIRA D.

  Electron Device Equipment Division, Canon ANELVA Corporation

• 大石 恵

  阪大院基礎工

• ダビッド ジャヤプラウィラ

  キヤノンアネルバ

• 安藤 功兒

  産総研

• 川上 隆輝

  日本大 量子科研

• 小出 常晴

  高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所

• 水口 将輝

  ナノ機能合成プロ産総研

• 池川 純夫

  東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー

• 山本 淳

  産業技術総合研究所

• 齊藤 敏明

  東邦大・理

• 長谷川 学

  筑波大物工

• 齋藤 真司

  東邦大

• 間宮 一敏

  高エネルギー加速器機構研究所

• 黒崎 義成

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 義茂

  (現)大阪大学大学院基礎工学科

• 間宮 一敏

  高エネ研PF

• 斉藤 真二

  東邦大理

• 神野 友之

  東邦大理

• 斉藤 敏明

  東邦大学

• 真中 浩貴

  高エネ研PF

• 戸叶 洋之

  筑波大学

• 斉藤 真司

  東邦大

• 遠藤 学

  東邦大・理

• 與田 博明

  (株)東芝 研究開発センター

• 安藤 功見

  電子技術総合研究所

• 斉藤 真司

  分子研

• 新庄 輝也

  京大 化研

• 池川 純夫

  (株)東芝研究開発センター

• 與田 博明

  東芝

• 宮崎 照宣

  東北大工

• 與田 博明

  東芝研究開発センター

• 長谷川 学

  筑波大院シス情

• 野崎 隆行

  阪大基礎工

• 東尾 奈々

  慶大理工

• 川上 隆輝

  産総研エレクトロニクス

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著作論文

• 20aPS-22 スピネル型強磁性絶縁体を用いたMTJの作製と評価(20aPS 領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子・表面・微小領域・スピントロニクス・遍歴・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pWD-8 Fe/MgO(001)/Fe磁気トンネル接合のMgO絶縁層に接したWedge状鉄薄膜の磁気モーメント(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
• 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
• スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
• MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
• 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
• スピン注入磁化反転素子の高周波特性
• MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
• 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
• 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26pXP-6 Au(001)表面上Co超薄膜の角度分解軟X線内殻磁気円二色性(領域5, 領域3, 領域8合同招待講演,領域5(光物性))
• MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
• スピトルクダイオードと負性抵抗効果
• Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
• 22aQG-4 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJ(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-8 γ-Fe_2O_3を障壁層に用いたスピンフィルター型MTJの作製(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-76 スピネルフェライトFe_O_4を用いたMTJの作製(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
• L1_0型垂直磁化膜におけるスピン注入磁化反転とスピンRAMへの応用可能性
• 全エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/Fe(001) 磁気トンネル接合のMgOバリアーを介した磁気層間結合
• 19aZC-11 極磁気Kerr効果によるFe/Ag(001)-Wedge/Fcサンドイッチ膜の量子井戸振動(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-8 全エピタキシャルFe/MgO/Fe(001)磁気トンネル接合のMgO層を介した磁性層間結合(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aXH-5 磁気カー効果から見たFe層で挟まれたAu(001)-wedge膜の量子井戸振動(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27pPSA-1 Fe_O_4エピタキシャル薄膜の磁気光学効果(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aYB-2 Mg0(001)トンネル障壁に接したWedge状Fe(001)薄膜のXAS及びXMCD(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19aYB-1 エピタキシャルFe(001)/MgO(001)/bcc-Co(001)磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態 : X線吸収及びX線磁気円二色性による研究(薄膜)
• トンネル磁気抵抗効果のFe(001)電極膜厚依存性(薄膜)
• X線吸収及びX線磁気円二色性で評価したMgO(001)トンネル障壁界面Fe(001)単原子層の磁気状態
• 13aWB-8 単結晶 Fe/MgO/Fe(001) 接合における下部 Fe(001) 界面の磁気状態とトンネル磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
• Al_2O_3トンネルバリア界面Co(001)単原子層のX線吸収及びX線磁気円二色性スペクトル
• 29pXH-5 X 線吸収および X 線磁気円二色性で評価した Al_2O_3 トンネルバリア界面 Co(001) 単原子層の酸化状態と磁性
• スピントロニクス技術による不揮発エレクトロニクスの創成--究極のグリーンIT機器の実現に向けて
• 23aPS-19 強磁性細線のノイズ測定(23aPS ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pZC-1 強磁性細線の高周波電流整流効果(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pPSA-12 単結晶強磁性トンネル接合素子における量子サイズ効果と熱処理
• 高密度スピントルクMRAMの実現に向けて
• 23pWL-13 トンネル磁気抵抗素子に加わるスピントルクのバイアス電圧依存性(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18pTB-11 トンネル磁気抵抗素子の構造と伝導特性の相関(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pXH-9 微小磁性体のFMR測定II(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28pSC-9 微小磁性体のFMR測定(28pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aPS-7 γ-Fe_2O_3障壁層をもつスピンフィルター型磁気トンネル接合の作製(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23aPS-3 マグヘマイト障壁層をもつスピンフィルタ型MTJの作製(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24aWP-6 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定(24aWP 磁化ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
• CPP構造微小金属接合におけるペルチェ冷却効果
• スピンダイス : 磁気抵抗素子を用いた物理乱数発生器
• 4E-1 スピン注入磁化反転を用いた乱数発生器(セキュリティ(1),一般セッション,セキュリティ)
• 超臨界CO_2リフトオフによる微小トンネル接合の作成
• 24aXN-2 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の低温におけるTMR効果の異常(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
• Al_2O_3を障壁層に用いたトンネル磁気抵抗薄膜における各層成長過程のSTM観察
• 超薄Fe(100)電極層を持つTMR素子の磁気抵抗効果
• 金属スピントロニクスの展開
• 金属スピントロニクスの展開
• MgO(001)単結晶トンネル障壁層の作製
• 超薄Fe(100)強磁性電極によるトンネル磁気抵抗効果の増大
• トンネルバリアがある場合のスピン注入磁化反転の理論
• 22pWA-11 層状反強磁性 Cr (001) 挿入層による TMR 効果の振動
• 22pWA-10 単結晶 Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) トンネル接合の作製
• 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
• 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
• 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
• 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
• 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
• トンネル磁気抵抗素子におけるスピン依存量子サイズ効果の理論
• Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
• TMRの量子サイズ効果とその応用(共鳴トンネルトランジスタに向けて)
• Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果
• 次世代MRAMのための新材料技術--記憶容量1Gbitの壁を破るためのMRAMの材料開発動向を紹介する (特集2 次世代不揮発性メモリの開発動向)
• スピンエレクトロニクス研究を応用した素子の開発 (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
• スピンを用いた物理乱数発生器「スピンダイス」
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器および一般)
• 29pSC-12 ナノ磁性細線における高周波応答(29pSC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSA-22 ナノ磁性細線における単一磁壁の高周波インピーダンス測定(領域3ポスターセッション,薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて(映像情報機器,一般)
• 26aHD-4 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-17 γ-Fe_2O_3を用いたスピンフィルタ型MTJの作製と評価(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aPS-16 TiN/Fe_3O_4/Fe3層構造のCPP配置におけるトンネル型磁気抵抗効果(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• MgO障壁強磁性トンネル接合素子を用いたスピントルク発振の高出力化に向けて
• 23aRA-6 トンネル磁気抵抗素子における電子のアンチバンチングの観測(23aRA スピントロニクス(磁化制御・磁化ダイナミクス),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 23pRA-2 スピントルクダイオード測定によるスピントルクの温度依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 大容量スピンRAMの実現に向けた垂直磁化MTJの開発
• ナノ磁性体の強磁性共鳴
• 27aXA-9 トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音の膜厚依存性(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aXA-8 トンネル磁気抵抗素子における磁化ゆらぎに伴う低周波雑音(27aXA スピントロニクス(ナノ磁性体),領域3(磁性,磁気共鳴))

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