與田 博明 | (株)東芝 研究開発センター
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概要
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝半導体研究開発センター
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(株)東芝・研究開発センター
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岸 達也
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(株)東芝 研究開発センター
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Necデバプラ研
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株式会社東芝研究開発センター
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佐橋 政司
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東芝・総研
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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佐橋 政司
東芝 研開セ
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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日本電気株式会社システムデバイス研究所
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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大沢 裕一
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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株式会社東芝半導体研究開発センター
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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杉林 直彦
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渡辺 陽二
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上田 善寛
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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岩崎 仁志
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
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橋本 進
(株)東芝研究開発センター記憶材料・デバイスラボラトリ
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大嶋 則和
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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崎村 昇
NECデバイスプラットフォーム研究所
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産総研
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阪大院基礎工
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産総研
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産総研
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久保田 均
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福島 章雄
産業技術総合研究所
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産業技術総合研究所
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湯浅 新治
産業技術総合研究所
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大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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大坊 忠臣
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佐藤 政司
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
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笠井 直記
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電総研
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湯浅 新治
電総研
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波田 博光
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笠井 直記
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阪大院基礎工:jstさきがけ
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東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 新規メモリ設計技術開発部
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東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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天野 実
東芝研究開発センター
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日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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日本電気株式会社
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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佐橋 政司
東北大学 大学院工学研究科 電子工学専攻
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
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福本 能之
NEC
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NEC
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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館山 公一
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(株)東芝半導体研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝研究開発センター
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鈴木 義茂
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上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
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下村 尚治
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薬師寺 啓
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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湯浅 新治
独立行政法人産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター
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野崎 隆行
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冨田 博之
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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北川 英二
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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長瀬 俊彦
東芝研究開発センター
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大坊 忠臣
東芝研究開発センター
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長嶺 真
東芝研究開発センター
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下村 尚治
東芝研究開発センター
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永原 聖万
Nec
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崎村 昇
NEC グリーンイノベーション研究所
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橋本 進
(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ
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久保田 均
AISTナノスピントロニクス研究センター
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福島 章雄
AISTナノスピントロニクス研究センター
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笠井 直記
東北大学
-
船山 知己
(株)東芝 デジタルメディアネットワーク社
-
藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 垂直磁化方式スピン注入書き込みMRAM
- 高集積MRAMに向けた、良好なスケーラビリティーをもつ重直磁化方式MTJの開発
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAMへの書込み特性の向上
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- MRAM : 開発の最前線
- スピンバルブGMRにおけるESD耐性のリード構造依存性
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 新バイアス構造によるサブミクロン対応GMRヘッド
- リードオーバーレイト構造による耐ESD性の向上
- 高飽和磁化FeCo合金軟磁性薄膜の磁気特性
- 磁極分離構造記録ヘッドの狭トラック加工性と記録特性
- CoFeスピンバルプを用いたGMR記録再生一体ヘッド
- 面内および垂直磁化ナノピラーのスピン注入による高速磁化反転