田原 修一 | 日本電気(株) システムデバイス研究所
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概要
関連著者
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
NEC基礎研究所
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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與田 博明
(株)東芝
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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沼田 秀昭
日本電気(株)システムデバイス研究所
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橋本 義仁
超電導工学研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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橋本 義仁
財団法人国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝半導体研究開発センター
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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(株)東芝半導体研究開発センター
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田原 修一
日本電気(株) 基礎研究所
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超電導工学研究所
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Necデバプラ研
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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(株)東芝研究開発センター
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三浦 貞彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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日本電気(株)生産技術研究所
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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沼田 秀昭
NEC基礎研究所
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橋本 義仁
NEC基礎研究所
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安道 徳昭
日本電気(株)デバイス評価技術研究所
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日高 睦夫
国際超電導産業技術研究セ
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Nec基礎研
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東芝研究開発センター
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日本電気(株)
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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Nec基礎研究所
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NEC基礎研究所
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Nec基礎研究所
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NEC機能エレクトロニクス研究所
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萬 伸一
Nec基礎・環境研究所
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土田 賢二
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杉林 直彦
NECシリコンシステム研究所
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田原 修一
NECシリコンシステム研究所
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(株)東芝研究開発センター
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永沢 秀一
超電導工学研
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田原 修一
Nec システムデバイス研
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NEC 基礎研究所
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Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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波田 博光
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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日本電気株式会社
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志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
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Necデバプラ研
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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橋本 義仁
日本電気(株)基礎研究所
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日本電気(株)基礎研究所
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株式会社東芝研究開発センター
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Nec
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日本電気(株) 基礎研究所
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稲場 恒夫
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Nec 先端デバイス開発本部
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笠井 直記
東北大学
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター
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東芝
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電子技術総合研究所
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日本電気(株)システムデバイス基礎研究本部
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日本電気(株)基礎研
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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東芝研究開発センター
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高田 進
埼玉大学大学院理工学研究科
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根橋 竜介
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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日本電気株式会社
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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福本 能之
日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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末光 克巳
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大嶋 則和
Nec
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福本 能之
NEC
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沼田 秀昭
NEC
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松原 洋一
日本大学原子力研究所
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松原 洋一
日本大学
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萬 伸一
日本電気(株)基礎研究所
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小池 雅志
日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
日本電気 (株) 基礎研究所
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黒沢 格
電子技術総合研究所
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高田 進
電子技術総合研究所
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糸崎 秀夫
住友電気工業(株)
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野口 隆志
池上技術,編集委員
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名古屋大学工学研究科
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玉田 紀治
電子技術総合研究所
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石綿 延行
NECシステムデバイス研究所
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糸崎 秀夫
住友電工伊丹研
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糸崎 秀夫
住友電気工業株式会社伊丹研究所
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與田 博明
東芝
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堀口 文男
東洋大学工学部コンピュテーショナル工学科
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萬 伸一
日本電気(株)基礎・環境研究所
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服部 渉
NEC基礎研究所
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浅尾 吉昭
株式会社 東芝、研究開発センター
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與田 博明
株式会社 東芝、研究開発センター
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野口 隆志
池上技術
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野口 隆志
池上技術 編集委員
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田原 修一
NEC 基礎研究所
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日高 睦夫
財)国際超電導産業技術研究センター
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早川 尚夫
名古屋大学
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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斎藤 信作
日本電気(株)
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小池 雅志
NEC基礎研究所
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糸崎 秀夫
住友電気工業 伊丹研
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崎村 昇
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本田 雄士
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沼田 秀昭
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沼田 秀昭
NEC 基礎研究所
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三浦 貞彦
NEC 基礎研究所
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早川 尚夫
名古屋大学大学院工学研究科
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堀口 文男
(株)東芝セミコンダクター社
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天野 実
東芝
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黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
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松原 洋一
日本大学理工学部原子研究所
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
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松原 洋一
日本大学理工学部原子力研究所
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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服部 渉
Nec 基礎・環境研
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仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
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三浦 貞彦
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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永原 聖万
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青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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吉武 務
NEC基礎研究所
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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吉武 務
日本電気(株)
著作論文
- 高温超伝導サンプラーを用いた高周波電流波形観測
- 高温超伝導サンプラーを用いたGHz帯正弦波電流の非接触計測
- SC-6-1 高温超伝導サンプラーを用いた非接触電流波形観測
- 高温超伝導サンプラーを用いたGHz電流波形計測装置
- 高温超伝導体を用いた超高速計測技術
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 2000ゲートジョセフソン論理回路のためのトランスフォーマーによるGHzクロック供給実験 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 超電導エレクトロニクスについて
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
- 高温超伝導遅延線を高スループットATMスイッチに用いるための初期検討
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- MRAMの特徴とMRAM技術
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- 超電導ネットワークシステムの開発 (特集 超電導特集) -- (ジョセフソン素子ハイブリツドシステムの技術開発)
- MRAM多層化におけるMTJ抵抗の重み付け係数の最適化
- 人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)