稲場 恒夫 | (株)東芝ULSI研究所
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概要
関連著者
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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著作論文
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- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)